Littelfuse Inc. IXTP120P065T

IXTP120P065T Supplier & Distributor

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  • In-stock inventory checking
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  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
IXTP120P065T
Hersteller:
Littelfuse Inc.
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Gehäuse:
TO-220-3
Datenblatt:
TomatoElecIXTP120P065T.pdf
Beschreibung:
MOSFET P-CH 65V 120A TO220AB
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IXTP120P065T Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Littelfuse Inc.
Serie:
TrenchP™
Verpackung/Gehäuse:
TO-220-3
Verpackung:
Tube
Produktstatus:
Active
FET-Typ:
P-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
65 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
10mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
185 nC @ 10 V
Vgs (Max):
±15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
13200 pF @ 25 V
FET-Funktion:
-
Leistungsverlust (Max):
298W (Tc)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Through Hole
Lieferant Gerätepaket:
TO-220-3
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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Teilenr. IXTP120P065T
Hersteller Littelfuse Inc.
Serie TrenchP™
Verpackung/Gehäuse TO-220-3
Verpackung Tube
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 65 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 185 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13200 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Leistungsverlust (Max) 298W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Through Hole
Lieferant Gerätepaket TO-220-3

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