IXYS IXKK85N60C

IXKK85N60C Supplier & Distributor

IXKK85N60C is an electronic component manufactured by IXYS. We are a professional electronic components supplier providing original parts with large stock available in Shenzhen Huaqiangbei.

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Teilenr.:
IXKK85N60C
Hersteller:
IXYS
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Gehäuse:
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt:
TomatoElecIXKK85N60C.pdf
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 85A TO264A
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IXKK85N60C Spezifikationen

  • Spezifikationen
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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
IXYS
Serie:
CoolMOS™
Verpackung/Gehäuse:
TO-264-3, TO-264AA
Verpackung:
Tube
Produktstatus:
Active
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
600 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
85A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
36mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
650 nC @ 10 V
Vgs (Max):
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
-
FET-Funktion:
-
Leistungsverlust (Max):
-
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Through Hole
Lieferant Gerätepaket:
TO-264AA
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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Teilenr. IXKK85N60C IXKK85N60CC3
Hersteller IXYS IXYS
Serie CoolMOS™ -
Verpackung/Gehäuse TO-264-3, TO-264AA -
Verpackung Tube Bulk
Produktstatus Active Obsolete
FET-Typ N-Channel -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V -
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 85A (Tc) -
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) 10V -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 55A, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 4mA -
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 650 nC @ 10 V -
Vgs (Max) ±20V -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - -
FET-Funktion - -
Leistungsverlust (Max) - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -
Klasse - -
Qualifizierung - -
Montageart Through Hole -
Lieferant Gerätepaket TO-264AA -

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