Littelfuse Inc. IXFK80N65X2

IXFK80N65X2 Supplier & Distributor

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IXFK80N65X2
Hersteller:
Littelfuse Inc.
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Gehäuse:
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt:
TomatoElecIXFK80N65X2.pdf
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 80A TO264
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IXFK80N65X2 Spezifikationen

  • Spezifikationen
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  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Littelfuse Inc.
Serie:
HiPerFET™, Ultra X2
Verpackung/Gehäuse:
TO-264-3, TO-264AA
Verpackung:
Tube
Produktstatus:
Active
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
650 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
40mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
5.5V @ 4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
143 nC @ 10 V
Vgs (Max):
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
8245 pF @ 25 V
FET-Funktion:
-
Leistungsverlust (Max):
890W (Tc)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Through Hole
Lieferant Gerätepaket:
TO-264AA
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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Teilenr. IXFK80N65X2
Hersteller Littelfuse Inc.
Serie HiPerFET™, Ultra X2
Verpackung/Gehäuse TO-264-3, TO-264AA
Verpackung Tube
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 143 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8245 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Leistungsverlust (Max) 890W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Through Hole
Lieferant Gerätepaket TO-264AA

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