IXYS IXFK38N80Q2

IXFK38N80Q2 Supplier & Distributor

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  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
IXFK38N80Q2
Hersteller:
IXYS
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Gehäuse:
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt:
TomatoElecIXFK38N80Q2.pdf
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 38A TO264AA
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IXFK38N80Q2 Spezifikationen

  • Spezifikationen
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  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
IXYS
Serie:
HiPerFET™, Q2 Class
Verpackung/Gehäuse:
TO-264-3, TO-264AA
Verpackung:
Tube
Produktstatus:
Active
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
800 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
38A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
220mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 8mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
190 nC @ 10 V
Vgs (Max):
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
8340 pF @ 25 V
FET-Funktion:
-
Leistungsverlust (Max):
735W (Tc)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Through Hole
Lieferant Gerätepaket:
TO-264AA (IXFK)
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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Teilenr. IXFK38N80Q2
Hersteller IXYS
Serie HiPerFET™, Q2 Class
Verpackung/Gehäuse TO-264-3, TO-264AA
Verpackung Tube
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 38A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8340 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Leistungsverlust (Max) 735W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Through Hole
Lieferant Gerätepaket TO-264AA (IXFK)

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