Littelfuse Inc. IXFK200N10P

IXFK200N10P Supplier & Distributor

IXFK200N10P is an electronic component manufactured by Littelfuse Inc.. We are a professional electronic components supplier providing original parts with large stock available in Shenzhen Huaqiangbei.

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IXFK200N10P
Hersteller:
Littelfuse Inc.
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Gehäuse:
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt:
TomatoElecIXFK200N10P.pdf
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 200A TO264AA
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IXFK200N10P Spezifikationen

  • Spezifikationen
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  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Littelfuse Inc.
Serie:
HiPerFET™, Polar
Verpackung/Gehäuse:
TO-264-3, TO-264AA
Verpackung:
Tube
Produktstatus:
Active
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
100 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
200A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
7.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 8mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
235 nC @ 10 V
Vgs (Max):
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
7600 pF @ 25 V
FET-Funktion:
-
Leistungsverlust (Max):
830W (Tc)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Through Hole
Lieferant Gerätepaket:
TO-264AA (IXFK)
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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Teilenr. IXFK200N10P
Hersteller Littelfuse Inc.
Serie HiPerFET™, Polar
Verpackung/Gehäuse TO-264-3, TO-264AA
Verpackung Tube
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 200A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 8mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 235 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Leistungsverlust (Max) 830W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Through Hole
Lieferant Gerätepaket TO-264AA (IXFK)

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