IXYS IXFH14N100Q

IXFH14N100Q Supplier & Distributor

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  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
IXFH14N100Q
Hersteller:
IXYS
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Gehäuse:
TO-247-3
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 14A TO247AD
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IXFH14N100Q Spezifikationen

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Eigenschaftswert
Hersteller
IXYS
Serie:
HiPerFET™
Verpackung/Gehäuse:
TO-247-3
Verpackung:
Tube
Produktstatus:
Obsolete
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
1000 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
14A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
750mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
170 nC @ 10 V
Vgs (Max):
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
4500 pF @ 25 V
FET-Funktion:
-
Leistungsverlust (Max):
360W (Tc)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Through Hole
Lieferant Gerätepaket:
TO-247AD (IXFH)
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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Teilenr. IXFH14N100Q2 IXFH14N100Q
Hersteller IXYS IXYS
Serie HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™
Verpackung/Gehäuse TO-247-3 TO-247-3
Verpackung Tube Tube
Produktstatus Not For New Designs Obsolete
FET-Typ N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V 1000 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 14A (Tc) 14A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) 10V 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 950mOhm @ 7A, 10V 750mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 4mA 5V @ 4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 83 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V
FET-Funktion - -
Leistungsverlust (Max) 500W (Tc) 360W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse - -
Qualifizierung - -
Montageart Through Hole Through Hole
Lieferant Gerätepaket TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH)

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