Vishay Siliconix IRFL110TRPBF-BE3

IRFL110TRPBF-BE3 Supplier & Distributor

IRFL110TRPBF-BE3 is an electronic component from Vishay Siliconix. TomatoElec is an in-stock independent distributor supporting original component sourcing, inventory checks and BOM purchasing needs.

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  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
IRFL110TRPBF-BE3
Hersteller:
Vishay Siliconix
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Gehäuse:
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt:
TomatoElecIRFL110TRPBF-BE3.pdf
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
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IRFL110TRPBF-BE3 Spezifikationen

  • Spezifikationen
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  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Vishay Siliconix
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
TO-261-4, TO-261AA
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
100 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
1.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
540mOhm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
8.3 nC @ 10 V
Vgs (Max):
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
180 pF @ 25 V
FET-Funktion:
-
Leistungsverlust (Max):
2W (Ta), 3.1W (Tc)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
SOT-223
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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Hersteller Vishay Siliconix
Serie -
Verpackung/Gehäuse TO-261-4, TO-261AA
Verpackung Tape & Reel (TR)
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 1.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 540mOhm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 8.3 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 180 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Leistungsverlust (Max) 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket SOT-223

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