Rohm Semiconductor IMB4AT110

IMB4AT110 Supplier & Distributor

IMB4AT110 is an electronic component from Rohm Semiconductor. TomatoElec is an in-stock independent distributor supporting original component sourcing, inventory checks and BOM purchasing needs.

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  • In-stock inventory checking
  • RFQ and availability confirmation
  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
IMB4AT110
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Kategorie:
Bipolartransistor-Arrays, vorgespannt
Gehäuse:
SC-74, SOT-457
Datenblatt:
TomatoElecIMB4AT110.pdf
Beschreibung:
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
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IMB4AT110 Spezifikationen

  • Spezifikationen
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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Rohm Semiconductor
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
SC-74, SOT-457
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Not For New Designs
Transistortyp:
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (Max):
100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
50V
Widerstand - Basis (R1):
10kOhms
Widerstand - Emitter-Basis (R2):
-
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
100 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
300mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektor-Abschaltung (Max):
-
Frequenz - Übergang:
250MHz
Leistung – Max:
300mW
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
SMT6
Kategorie:
Bipolartransistor-Arrays, vorgespannt
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Teilenr. IMB4AT110
Hersteller Rohm Semiconductor
Serie -
Verpackung/Gehäuse SC-74, SOT-457
Verpackung Tape & Reel (TR)
Produktstatus Not For New Designs
Transistortyp 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) 50V
Widerstand - Basis (R1) 10kOhms
Widerstand - Emitter-Basis (R2) -
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektor-Abschaltung (Max) -
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung – Max 300mW
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket SMT6

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