Toshiba Semiconductor and Storage HN4K03JUTE85LF

HN4K03JUTE85LF Supplier & Distributor

HN4K03JUTE85LF is an electronic component from Toshiba Semiconductor and Storage. TomatoElec is an in-stock independent distributor supporting original component sourcing, inventory checks and BOM purchasing needs.

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  • In-stock inventory checking
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  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
HN4K03JUTE85LF
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Gehäuse:
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 100MA USV
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HN4K03JUTE85LF Spezifikationen

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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Obsolete
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
20 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
100mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
2.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
12Ohm @ 10mA, 2.5V
Vgs(th) (Max) @ Id:
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
-
Vgs (Max):
10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
8.5 pF @ 3 V
FET-Funktion:
-
Leistungsverlust (Max):
200mW (Ta)
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
5-SSOP
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Serie -
Verpackung/Gehäuse 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Verpackung Tape & Reel (TR)
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 100mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) 2.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 12Ohm @ 10mA, 2.5V
Vgs(th) (Max) @ Id -
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8.5 pF @ 3 V
FET-Funktion -
Leistungsverlust (Max) 200mW (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket 5-SSOP

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