onsemi FDME910PZT

FDME910PZT Supplier & Distributor

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  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
FDME910PZT
Hersteller:
onsemi
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Gehäuse:
6-PowerUFDFN
Datenblatt:
TomatoElecFDME910PZT.pdf
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 8A MICROFET
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FDME910PZT Spezifikationen

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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
onsemi
Serie:
PowerTrench®
Verpackung/Gehäuse:
6-PowerUFDFN
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Obsolete
FET-Typ:
P-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
20 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
24mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
21 nC @ 4.5 V
Vgs (Max):
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
2110 pF @ 10 V
FET-Funktion:
-
Leistungsverlust (Max):
2.1W (Ta)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
MicroFet 1.6x1.6 Thin
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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Hersteller onsemi onsemi
Serie PowerTrench® PowerTrench®
Verpackung/Gehäuse 6-PowerUFDFN 6-PowerUFDFN
Verpackung Tape & Reel (TR) Bulk
Produktstatus Obsolete Obsolete
FET-Typ P-Channel P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 8A (Ta) 8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 8A, 4.5V 24mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 4.5 V 21 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±8V ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2110 pF @ 10 V 2110 pF @ 10 V
FET-Funktion - -
Leistungsverlust (Max) 2.1W (Ta) 2.1W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse - -
Qualifizierung - -
Montageart Surface Mount Surface Mount
Lieferant Gerätepaket MicroFet 1.6x1.6 Thin MicroFet 1.6x1.6 Thin

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