Rohm Semiconductor EMF18T2R

EMF18T2R Supplier & Distributor

EMF18T2R is an electronic component manufactured by Rohm Semiconductor. We are a professional electronic components supplier providing original parts with large stock available in Shenzhen Huaqiangbei.

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Teilenr.:
EMF18T2R
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Kategorie:
Bipolartransistor-Arrays, vorgespannt
Gehäuse:
SOT-563, SOT-666
Beschreibung:
TRANS DIGITAL BJT NPN/PNP 50V 10
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About EMF18T2R

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EMF18T2R Spezifikationen

  • Spezifikationen
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  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Rohm Semiconductor
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
SOT-563, SOT-666
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Obsolete
Transistortyp:
1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP
Strom - Kollektor (Ic) (Max):
100mA, 150mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
50V
Widerstand - Basis (R1):
47kOhms
Widerstand - Emitter-Basis (R2):
47kOhms
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
68 @ 5mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
300mV @ 500µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektor-Abschaltung (Max):
500nA, 100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang:
250MHz, 140MHz
Leistung – Max:
150mW
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
EMT6
Kategorie:
Bipolartransistor-Arrays, vorgespannt
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Teilenr. EMF18T2R
Hersteller Rohm Semiconductor
Serie -
Verpackung/Gehäuse SOT-563, SOT-666
Verpackung Tape & Reel (TR)
Produktstatus Obsolete
Transistortyp 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA, 150mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) 50V
Widerstand - Basis (R1) 47kOhms
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 47kOhms
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektor-Abschaltung (Max) 500nA, 100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang 250MHz, 140MHz
Leistung – Max 150mW
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket EMT6

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