Wolfspeed, Inc. E3M0060065D

E3M0060065D Supplier & Distributor

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E3M0060065D
Hersteller:
Wolfspeed, Inc.
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Gehäuse:
TO-247-3
Datenblatt:
TomatoElecE3M0060065D.pdf
Beschreibung:
60M 650V SIC AUTOMOTIVE MOSFET
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E3M0060065D Spezifikationen

  • Spezifikationen
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  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Wolfspeed, Inc.
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
TO-247-3
Verpackung:
Tube
Produktstatus:
Last Time Buy
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
650 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
37A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
15V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
79mOhm @ 13.2A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id:
3.6V @ 3.6mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
46 nC @ 15 V
Vgs (Max):
+19V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1170 pF @ 600 V
FET-Funktion:
-
Leistungsverlust (Max):
131W (Tc)
Betriebstemperatur:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Klasse:
Automotive
Qualifizierung:
AEC-Q101
Montageart:
Through Hole
Lieferant Gerätepaket:
TO-247-3
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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Teilenr. E3M0060065D
Hersteller Wolfspeed, Inc.
Serie -
Verpackung/Gehäuse TO-247-3
Verpackung Tube
Produktstatus Last Time Buy
FET-Typ N-Channel
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 37A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) 15V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 79mOhm @ 13.2A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.6V @ 3.6mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 15 V
Vgs (Max) +19V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1170 pF @ 600 V
FET-Funktion -
Leistungsverlust (Max) 131W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Klasse Automotive
Qualifizierung AEC-Q101
Montageart Through Hole
Lieferant Gerätepaket TO-247-3

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