Diodes Incorporated DDC114YUQ-7-F

DDC114YUQ-7-F Supplier & Distributor

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Teilenr.:
DDC114YUQ-7-F
Hersteller:
Diodes Incorporated
Kategorie:
Bipolartransistor-Arrays, vorgespannt
Gehäuse:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt:
TomatoElecDDC114YUQ-7-F.pdf
Beschreibung:
PREBIAS TRANSISTOR SOT363 T&R 3K
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DDC114YUQ-7-F Spezifikationen

  • Spezifikationen
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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Diodes Incorporated
Serie:
DDC (XXXX) U
Verpackung/Gehäuse:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
Transistortyp:
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (Max):
100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
50V
Widerstand - Basis (R1):
10kOhms
Widerstand - Emitter-Basis (R2):
47kOhms
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
80 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektor-Abschaltung (Max):
500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang:
250MHz
Leistung – Max:
200mW
Klasse:
Automotive
Qualifizierung:
AEC-Q101
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
SOT-363
Kategorie:
Bipolartransistor-Arrays, vorgespannt
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Teilenr. DDC114YUQ-13-F DDC114YUQ-7-F
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Serie DDC (XXXX) U DDC (XXXX) U
Verpackung/Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Verpackung Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Produktstatus Active Active
Transistortyp 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) 50V 50V
Widerstand - Basis (R1) 10kOhms 10kOhms
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 47kOhms 47kOhms
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 5V 80 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektor-Abschaltung (Max) 500nA (ICBO) 500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang 250MHz 250MHz
Leistung – Max 200mW 200mW
Klasse Automotive Automotive
Qualifizierung AEC-Q101 AEC-Q101
Montageart Surface Mount Surface Mount
Lieferant Gerätepaket SOT-363 SOT-363

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