Central Semiconductor Corp CTLDM7120-M621H TR

CTLDM7120-M621H TR Supplier & Distributor

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  • In-stock inventory checking
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  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
CTLDM7120-M621H TR
Hersteller:
Central Semiconductor Corp
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Gehäuse:
6-XFDFN Exposed Pad
Datenblatt:
TomatoElecCTLDM7120-M621H TR.pdf
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 1A TLM621H
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CTLDM7120-M621H TR Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Central Semiconductor Corp
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
6-XFDFN Exposed Pad
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Obsolete
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
20 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
100mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.2V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
2.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max):
8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
220 pF @ 10 V
FET-Funktion:
-
Leistungsverlust (Max):
1.6W (Ta)
Betriebstemperatur:
-65°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
TLM621H
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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Hersteller Central Semiconductor Corp
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Verpackung/Gehäuse 6-XFDFN Exposed Pad
Verpackung Tape & Reel (TR)
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) 1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 2.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 220 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Leistungsverlust (Max) 1.6W (Ta)
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket TLM621H

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