Central Semiconductor Corp CDF56G7032N TR13 PBFREE

CDF56G7032N TR13 PBFREE Supplier & Distributor

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  • In-stock inventory checking
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Teilenr.:
CDF56G7032N TR13 PBFREE
Hersteller:
Central Semiconductor Corp
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Gehäuse:
8-PowerVDFN
Beschreibung:
SURFACE MOUNT MOSFET
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CDF56G7032N TR13 PBFREE Spezifikationen

  • Spezifikationen
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  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Central Semiconductor Corp
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
8-PowerVDFN
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
700 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
6V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
140mOhm @ 5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 17.2mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
3.5 nC @ 6 V
Vgs (Max):
+7V, -6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
125 pF @ 400 V
FET-Funktion:
-
Leistungsverlust (Max):
1.1W (Ta), 113W (Tc)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 155°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount, Wettable Flank
Lieferant Gerätepaket:
8-DFN (5x6)
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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Teilenr. CDF56G7032N TR13 PBFREE
Hersteller Central Semiconductor Corp
Serie -
Verpackung/Gehäuse 8-PowerVDFN
Verpackung Tape & Reel (TR)
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 700 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) 6V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 17.2mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 3.5 nC @ 6 V
Vgs (Max) +7V, -6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 125 pF @ 400 V
FET-Funktion -
Leistungsverlust (Max) 1.1W (Ta), 113W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 155°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount, Wettable Flank
Lieferant Gerätepaket 8-DFN (5x6)

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