Infineon Technologies BUZ100S-E3045A

BUZ100S-E3045A Supplier & Distributor

BUZ100S-E3045A is an electronic component from Infineon Technologies. TomatoElec is an in-stock independent distributor supporting original component sourcing, inventory checks and BOM purchasing needs.

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  • In-stock inventory checking
  • RFQ and availability confirmation
  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
BUZ100S-E3045A
Hersteller:
Infineon Technologies
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Gehäuse:
-
Datenblatt:
TomatoElecBUZ100S-E3045A.pdf
Beschreibung:
N-CHANNEL POWER MOSFET
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BUZ100S-E3045A Spezifikationen

  • Spezifikationen
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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Infineon Technologies
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
-
Verpackung:
Bulk
Produktstatus:
Active
FET-Typ:
-
Technologie:
-
Drain-Source-Spannung (Vdss):
-
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
-
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
-
Vgs (Max):
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
-
FET-Funktion:
-
Leistungsverlust (Max):
-
Betriebstemperatur:
-
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
-
Lieferant Gerätepaket:
-
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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Teilenr. BUZ100S-E3045A BUZ100S
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies
Serie - SIPMOS®
Verpackung/Gehäuse - TO-220-3
Verpackung Bulk Bulk
Produktstatus Active Active
FET-Typ - N-Channel
Technologie - MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) - 55 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C - 77A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) - 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs - 15mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id - 4V @ 130µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs - 100 nC @ 10 V
Vgs (Max) - ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - 2375 pF @ 25 V
FET-Funktion - -
Leistungsverlust (Max) - 170W (Tc)
Betriebstemperatur - -55°C ~ 175°C (TJ)
Klasse - -
Qualifizierung - -
Montageart - Through Hole
Lieferant Gerätepaket - PG-TO220-3-1

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