Nexperia USA Inc. BUK7S1R2-40HJ

BUK7S1R2-40HJ Supplier & Distributor

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BUK7S1R2-40HJ
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Gehäuse:
SOT-1235
Datenblatt:
TomatoElecBUK7S1R2-40HJ.pdf
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 300A LFPAK88
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BUK7S1R2-40HJ Spezifikationen

  • Spezifikationen
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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Nexperia USA Inc.
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
SOT-1235
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
40 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
300A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
1.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
3.6V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
112 nC @ 10 V
Vgs (Max):
+20V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
8420 pF @ 25 V
FET-Funktion:
-
Leistungsverlust (Max):
294W (Tc)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klasse:
Automotive
Qualifizierung:
AEC-Q101
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
LFPAK88 (SOT1235)
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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Teilenr. BUK7S1R2-40HJ
Hersteller Nexperia USA Inc.
Serie -
Verpackung/Gehäuse SOT-1235
Verpackung Tape & Reel (TR)
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 300A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.6V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 112 nC @ 10 V
Vgs (Max) +20V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8420 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Leistungsverlust (Max) 294W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Klasse Automotive
Qualifizierung AEC-Q101
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket LFPAK88 (SOT1235)

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