Infineon Technologies BSZ130N03MSGATMA1

BSZ130N03MSGATMA1 Supplier & Distributor

BSZ130N03MSGATMA1 is an electronic component from Infineon Technologies. TomatoElec is an in-stock independent distributor supporting original component sourcing, inventory checks and BOM purchasing needs.

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  • In-stock inventory checking
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BSZ130N03MSGATMA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Gehäuse:
8-PowerTDFN
Datenblatt:
TomatoElecBSZ130N03MSGATMA1.pdf
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 9A/35A 8TSDSON
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BSZ130N03MSGATMA1 Spezifikationen

  • Spezifikationen
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  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Infineon Technologies
Serie:
OptiMOS™
Verpackung/Gehäuse:
8-PowerTDFN
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
30 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
9A (Ta), 35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
11.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
17 nC @ 10 V
Vgs (Max):
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
1300 pF @ 15 V
FET-Funktion:
-
Leistungsverlust (Max):
2.1W (Ta), 25W (Tc)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
PG-TSDSON-8
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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Teilenr. BSZ130N03MSGATMA1
Hersteller Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Verpackung/Gehäuse 8-PowerTDFN
Verpackung Tape & Reel (TR)
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 9A (Ta), 35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 11.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Leistungsverlust (Max) 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket PG-TSDSON-8

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