Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4407

AO4407 Supplier & Distributor

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  • Original component sourcing support
  • In-stock inventory checking
  • RFQ and availability confirmation
  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
AO4407
Hersteller:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Gehäuse:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt:
TomatoElecAO4407.pdf
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
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AO4407 Spezifikationen

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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Obsolete
FET-Typ:
P-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
30 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
12A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
5V, 20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
13mOhm @ 12A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.8V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
36 nC @ 10 V
Vgs (Max):
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
2600 pF @ 15 V
FET-Funktion:
-
Leistungsverlust (Max):
3.1W (Ta)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
8-SOIC
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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Teilenr. AO4407B AO4407L AO4407AL AO4407
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie - - - -
Verpackung/Gehäuse - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Verpackung Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Produktstatus Obsolete Obsolete Obsolete Obsolete
FET-Typ P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 12A (Ta) 12A (Ta) 12A (Ta) 12A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) 10V 5V, 20V 6V, 20V 5V, 20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 12A, 20V 14mOhm @ 10A, 10V 11mOhm @ 12A, 20V 13mOhm @ 12A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2.8V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±25V ±25V ±25V ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2600 pF @ 15 V 2500 pF @ 15 V 2600 pF @ 15 V 2600 pF @ 15 V
FET-Funktion - - - -
Leistungsverlust (Max) 3.1W (Ta) 3.1W (Ta) 3.1W (Ta) 3.1W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse - - - -
Qualifizierung - - - -
Montageart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Lieferant Gerätepaket - 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC

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