TomatoElecBestellverfolgung TomatoElecMein Konto
    Beliebte Suche DS2401X1#U GRM188R61E105KA12D AP7340D-18FS4-7 CMPA601C025F CGHV96100F2 CGHV96130F AP3012KTR-E1 SMBJ43A-13-F DMN4034SSS-13 FMMT495QTA
    TomatoElec

    Verfügbar 24/7 unter

    0755-82798135
    TomatoElec TomatoElec
    Alle Kategorien
    Startseite > Produkte  > Diskrete Halbleiterprodukte > Transistoren > FETs, MOSFETs > FETs, MOSFETs

    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

    Alles zurücksetzen
    Alle anwenden
    Ergebnis

    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    IPP80N06S4L07AKSA1

    IPP80N06S4L07AKSA1

    MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

    Infineon Technologies

    		 2,570 -
    RFQ
    		IPP80N06S4L07AKSA1

    Datenblatt

         		OptiMOS™ TO-220-3 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 6.7mOhm @ 80A, 10V 2.2V @ 40µA 75 nC @ 10 V ±16V 5680 pF @ 25 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    SFS9Z24

    SFS9Z24

    P-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    		 3,485 -
    RFQ
    		SFS9Z24

    Datenblatt

         		- TO-220-3 Full Pack Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 7.5A (Tc) 10V 280mOhm @ 3.8A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±30V 600 pF @ 25 V - 29W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
    ISL9N310AP3

    ISL9N310AP3

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    		 3,211 -
    RFQ
    		ISL9N310AP3

    Datenblatt

         		UltraFET® TO-220-3 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 62A (Tc) 4.5V, 10V 10mOhm @ 62A, 10A 3V @ 250µA 48 nC @ 10 V ±20V 1800 pF @ 15 V - 70W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    HUFA76629D3S

    HUFA76629D3S

    MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA

    Fairchild Semiconductor

    		 3,042 -
    RFQ
    		HUFA76629D3S

    Datenblatt

         		UltraFET™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 20A (Tc) 4.5V, 10V 52mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 46 nC @ 10 V ±16V 1285 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    CPH6302-TL-E

    CPH6302-TL-E

    PCH 4V DRIVE SERIES

    onsemi

    		 3,000 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    SI2312A

    SI2312A

    20V 3.77A 750MW [email protected],5A 850

    UMW

    		 2,926 -
    RFQ
    		SI2312A

    Datenblatt

         		UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 5A (Ta) 1.8V, 4.5V 26mOhm @ 5A, 4.5V 850mV @ 250µA 14 nC @ 4.5 V ±8V - - 750mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    SI2304A

    SI2304A

    SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R

    UMW

    		 2,898 -
    RFQ
    		SI2304A

    Datenblatt

         		UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 3.6A (Ta) 4.5V, 10V 35mOhm @ 3.5A, 10V 3V @ 250µA 7 nC @ 5 V ±20V 555 pF @ 15 V - 1.25W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    BSO203SP

    BSO203SP

    P-CHANNEL POWER MOSFET

    Infineon Technologies

    		 2,701 -
    RFQ
    		BSO203SP

    Datenblatt

         		OptiMOS™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 7A (Ta) 2.5V, 4.5V 21mOhm @ 8.9A, 4.5V 1.2V @ 50µA 39 nC @ 4.5 V ±12V 3750 pF @ 15 V - 1.6W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-DSO-8
    IRFR1219A

    IRFR1219A

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Harris Corporation

    		 2,500 -
    RFQ
    		IRFR1219A

    Datenblatt

         		- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IRFR91109A

    IRFR91109A

    P-CHANNEL POWER MOSFET

    Harris Corporation

    		 2,500 -
    RFQ
    		IRFR91109A

    Datenblatt

         		- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    SSR2N60B

    SSR2N60B

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    		 2,500 -
    RFQ
    		SSR2N60B

    Datenblatt

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 1.8A (Tc) 10V 5Ohm @ 900mA, 10V 4V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±30V 490 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 44W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    PJA3403_R1_00001

    PJA3403_R1_00001

    30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

    Panjit International Inc.

    		 2,489 -
    RFQ
    		PJA3403_R1_00001

    Datenblatt

         		- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 3.1A (Ta) 2.5V, 10V 98mOhm @ 3.1A, 10V 1.3V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±12V 443 pF @ 15 V - 1.25W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    IRFR321

    IRFR321

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Harris Corporation

    		 1,802 -
    RFQ
    		IRFR321

    Datenblatt

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 350 V 3.1A (Ta) 10V 1.8Ohm @ 1.7A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    SI2303

    SI2303

    SOT-23-3 POWER MOSFETS ROHS

    UMW

    		 1,701 -
    RFQ
    		SI2303

    Datenblatt

         		UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 1.7A (Ta) 4.5V, 10V 190mOhm @ 1.7A, 10V 3V @ 250µA 4 nC @ 4.5 V ±20V 155 pF @ 15 V - 900mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    RF1K49211

    RF1K49211

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Harris Corporation

    		 1,588 -
    RFQ
    		RF1K49211

    Datenblatt

         		- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 7A - - - - - - - - - - - Surface Mount 8-SOIC
    IRFHM4234TRPBF

    IRFHM4234TRPBF

    HEXFET POWER MOSFET

    International Rectifier

    		 1,122 -
    RFQ
    		IRFHM4234TRPBF

    Datenblatt

         		FASTIRFET™, HEXFET® 8-TQFN Exposed Pad Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 20A (Ta) 4.5V, 10V 4.4mOhm @ 30A, 10V 2.1V @ 25µA 17 nC @ 10 V ±20V 1011 pF @ 13 V - 2.8W (Ta), 28W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount -
    NTB22N06T4

    NTB22N06T4

    MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK

    onsemi

    		 5,236 -
    RFQ
    		NTB22N06T4

    Datenblatt

         		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 22A (Ta) 10V 60mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±20V 700 pF @ 25 V - 60W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    FQU5P20TU

    FQU5P20TU

    MOSFET P-CH 200V 3.7A IPAK

    onsemi

    		 8,468 -
    RFQ
    		FQU5P20TU

    Datenblatt

         		QFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 3.7A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 1.85A, 10V 5V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±30V 430 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 45W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    NTD4860NT4G

    NTD4860NT4G

    MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A DPAK

    onsemi

    		 8,635 -
    RFQ
    		NTD4860NT4G

    Datenblatt

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 10.4A (Ta), 65A (Tc) 4.5V, 10V 7.5mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 16.5 nC @ 4.5 V ±20V 1308 pF @ 12 V - 1.28W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    SCH1439-TL-W

    SCH1439-TL-W

    MOSFET N-CH 30V 3.5A SOT563/SCH6

    onsemi

    		 7,770 -
    RFQ
    		SCH1439-TL-W

    Datenblatt

         		- SOT-563, SOT-666 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 3.5A (Ta) 4V, 10V 72mOhm @ 1.5A, 10V 2.6V @ 1mA 5.6 nC @ 10 V ±20V 280 pF @ 10 V - 1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-563/SCH6
    Total 36284 Record«Prev1... 404405406407408409410411...1815Next»
    TomatoElec

    Suche

     TomatoElec

    Produkte

     TomatoElec

    Telefon

     TomatoElec

    Benutzer
    TomatoElec
    [email protected]
    0755-82798135