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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    FDU6N25

    FDU6N25

    MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK

    onsemi

    		 9,380 -
    RFQ
    		FDU6N25

    Datenblatt

         		UniFET™ TO-251-3 Stub Leads, IPAK Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 4.4A (Tc) 10V 1.1Ohm @ 2.2A, 10V 5V @ 250µA 6 nC @ 10 V ±30V 250 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    CPH3307-TL-E

    CPH3307-TL-E

    MOSFET P-CH

    Sanyo

    		 27,000 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTHS4111PT1

    NTHS4111PT1

    P-CHANNEL MOSFET

    onsemi

    		 24,600 -
    RFQ
    		NTHS4111PT1

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    S3134K

    S3134K

    MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.75A, 20V

    Good-Ark Semiconductor

    		 24,330 -
    RFQ
    		S3134K

    Datenblatt

         		- SOT-723 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 750mA (Ta) 1.8V, 4.5V 380mOhm @ 650mA, 4.5V 1.1V @ 250µA - ±12V 120 pF @ 16 V - 150mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-723
    MGSF3442XT1

    MGSF3442XT1

    SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

    onsemi

    		 24,000 -
    RFQ
    		MGSF3442XT1

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    BSP100,135

    BSP100,135

    NEXPERIA BSP100 - 3.5A, 30V, 0.1

    NXP Semiconductors

    		 23,578 -
    RFQ
    		BSP100,135

    Datenblatt

         		TrenchMOS™ TO-261-4, TO-261AA Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 3.2A (Ta) 4.5V, 10V 100mOhm @ 2.2A, 10V 2.8V @ 1mA 6 nC @ 10 V ±20V 250 pF @ 20 V - 8.3W (Tc) -65°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
    SI6426DQ

    SI6426DQ

    SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    		 23,244 -
    RFQ
    		SI6426DQ

    Datenblatt

         		PowerTrench® 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 5.4A (Ta) 2.5V, 4.5V 35mOhm @ 5.4A, 4.5V 1.5V @ 250µA 10 nC @ 4.5 V ±8V 710 pF @ 10 V - 1.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-TSSOP
    IPS075N03LGAKMA1

    IPS075N03LGAKMA1

    MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3

    Infineon Technologies

    		 8,152 -
    RFQ
    		IPS075N03LGAKMA1

    Datenblatt

         		OptiMOS™ TO-251-3 Stub Leads, IPAK Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 7.5mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V 1900 pF @ 15 V - 47W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3-11
    SFP9520

    SFP9520

    P-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    		 19,524 -
    RFQ
    		SFP9520

    Datenblatt

         		- TO-220-3 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 6A (Tc) 10V 600mOhm @ 3A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±30V 550 pF @ 25 V - 49W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    MTD6N10E1

    MTD6N10E1

    NFET DPAK 100V 0.40R

    onsemi

    		 19,015 -
    RFQ
    		MTD6N10E1

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    MCH6336-TL-H

    MCH6336-TL-H

    MOSFET P-CH 12V 5A 6MCPH

    onsemi

    		 2,622 -
    RFQ
    		MCH6336-TL-H

    Datenblatt

         		- 6-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 5A (Ta) 1.8V, 4.5V 43mOhm @ 3A, 4.5V - 6.9 nC @ 4.5 V ±10V 660 pF @ 6 V - 1.5W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-MCPH
    CPH5811-TL-E

    CPH5811-TL-E

    NCH+SBD 1.8V DRIVE SERIES

    onsemi

    		 18,000 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTMSD2P102R2SG

    NTMSD2P102R2SG

    MOSFET P-CH 20V 2.3A 8SOIC

    onsemi

    		 17,500 -
    RFQ

    -

    		 - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2.3A (Ta) - 90mOhm @ 2.4A, 4.5V - 18 nC @ 4.5 V - 750 pF @ 16 V Schottky Diode (Isolated) - - - - Surface Mount 8-SOIC
    GSFW0202

    GSFW0202

    MOSFET, N-CH, SINGLE, 1.4A, 20V,

    Good-Ark Semiconductor

    		 17,320 -
    RFQ
    		GSFW0202

    Datenblatt

         		- SC-101, SOT-883 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 1.4A (Ta) 1.8V, 4.5V 230mOhm @ 550mA, 4.5V 1V @ 250µA 2 nC @ 4.5 V ±8V 43 pF @ 10 V - 700mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-883
    CPH3348-TL-E

    CPH3348-TL-E

    P-CHANNEL MOSFET

    Sanyo

    		 15,855 -
    RFQ
    		CPH3348-TL-E

    Datenblatt

         		- SC-96 Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 3A (Ta) 1.8V, 4.5V 70mOhm @ 1.5A, 4.5V - 5.6 nC @ 4.5 V ±10V 405 pF @ 6 V - 1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 3-CPH
    NTD4969N-1G

    NTD4969N-1G

    MOSFET N-CH 30V 41A IPAK-4

    onsemi

    		 12,047 -
    RFQ
    		NTD4969N-1G

    Datenblatt

         		- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9.4A (Ta), 41A (Tc) - 9mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 9 nC @ 4.5 V - 837 pF @ 15 V - - - - - Through Hole IPAK
    NTHS5445T1

    NTHS5445T1

    MOSFET P-CH 8V 5.2A CHIPFET

    onsemi

    		 2,652 -
    RFQ
    		NTHS5445T1

    Datenblatt

         		- 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8 V 5.2A (Ta) 1.8V, 4.5V 35mOhm @ 5.2A, 4.5V 450mV @ 250µA (Min) 26 nC @ 4.5 V ±8V - - 1.3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount ChipFET™
    NTD4810N-1G

    NTD4810N-1G

    MOSFET N-CH 30V 9A/54A IPAK

    onsemi

    		 9,550 -
    RFQ
    		NTD4810N-1G

    Datenblatt

         		- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9A (Ta), 54A (Tc) 4.5V, 11.5V 10mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 11 nC @ 4.5 V ±20V 1350 pF @ 12 V - 1.4W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    NTD3055-150-1G

    NTD3055-150-1G

    MOSFET N-CH 60V 9A IPAK

    onsemi

    		 3,398 -
    RFQ
    		NTD3055-150-1G

    Datenblatt

         		- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 9A (Ta) 10V 150mOhm @ 4.5A, 10V 4V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±20V 280 pF @ 25 V - 1.5W (Ta), 28.8W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    NTLJS3180PZTAG

    NTLJS3180PZTAG

    MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN

    onsemi

    		 9,000 -
    RFQ
    		NTLJS3180PZTAG

    Datenblatt

         		- 6-WDFN Exposed Pad Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 3.5A (Ta) 1.5V, 4.5V 38mOhm @ 3A, 4.5V 1V @ 250µA 19.5 nC @ 4.5 V ±8V 1100 pF @ 16 V - 700mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-WDFN (2x2)
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