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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    ECH8402-TL-E

    ECH8402-TL-E

    MOSFET N-CH 30V 10A 8ECH

    onsemi

    		 834,562 -
    RFQ
    		ECH8402-TL-E

    Datenblatt

         		- 8-SMD, Flat Leads Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 10A (Ta) - 15mOhm @ 5A, 10V - 28 nC @ 10 V - 1400 pF @ 10 V - 1.6W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-ECH
    CPH3441-TL-E

    CPH3441-TL-E

    NCH 4V DRIVE SERIES

    onsemi

    		 375,000 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTD4979NT4G

    NTD4979NT4G

    MOSFET N-CH 30V 9.4A/41A DPAK

    onsemi

    		 2,208 -
    RFQ
    		NTD4979NT4G

    Datenblatt

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9.4A (Ta), 41A (Tc) 4.5V, 10V 9mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 16.5 nC @ 10 V ±20V 837 pF @ 15 V - 1.38W (Ta), 26.3W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    NTHD4N02FT1G

    NTHD4N02FT1G

    MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET

    onsemi

    		 2,412 -
    RFQ
    		NTHD4N02FT1G

    Datenblatt

         		- 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2.9A (Tj) 2.5V, 4.5V 80mOhm @ 2.9A, 4.5V 1.2V @ 250µA 4 nC @ 4.5 V ±12V 300 pF @ 10 V Schottky Diode (Isolated) 910mW (Tj) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount ChipFET™
    CPH3348-TL-E

    CPH3348-TL-E

    MOSFET P-CH 12V 3A 3CPH

    onsemi

    		 3,439 -
    RFQ

    -

    		 - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 3A (Ta) 1.8V, 4.5V 70mOhm @ 1.5A, 4.5V - 5.6 nC @ 4.5 V ±10V 405 pF @ 6 V - 1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 3-CPH
    NTD4909NAT4H

    NTD4909NAT4H

    NFET DPAK 30V 41A 8MO

    onsemi

    		 152,500 -
    RFQ
    		NTD4909NAT4H

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    MTD2N40ET4

    MTD2N40ET4

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    onsemi

    		 137,500 -
    RFQ
    		MTD2N40ET4

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FW808-M-TL-E

    FW808-M-TL-E

    MOSFET (COMPOUND TYPE)

    onsemi

    		 132,000 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    BSL296SNH6327XTSA1

    BSL296SNH6327XTSA1

    MOSFET N-CH 100V 1.4A TSOP-6

    Infineon Technologies

    		 7,957 -
    RFQ
    		BSL296SNH6327XTSA1

    Datenblatt

         		OptiMOS™ SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 1.4A (Ta) 4.5V, 10V 460mOhm @ 1.26A, 10V 1.8V @ 100µA 4 nC @ 5 V ±20V 152.7 pF @ 25 V - 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSOP6-6
    SSN1N45BBU

    SSN1N45BBU

    MOSFET N-CH 450V 500MA TO92-3

    Fairchild Semiconductor

    		 106,358 -
    RFQ
    		SSN1N45BBU

    Datenblatt

         		- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 450 V 500mA (Tc) 10V 4.25Ohm @ 250mA, 10V 3.7V @ 250µA 8.5 nC @ 10 V ±50V 240 pF @ 25 V - 900mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92-3
    FDG311N

    FDG311N

    MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88

    Fairchild Semiconductor

    		 62,208 -
    RFQ
    		FDG311N

    Datenblatt

         		PowerTrench® 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 1.9A (Ta) 2.5V, 4.5V 115mOhm @ 1.9A, 4.5V 1.5V @ 250µA 4.5 nC @ 4.5 V ±8V 270 pF @ 10 V - 750mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
    NTHD3133PFT1G

    NTHD3133PFT1G

    MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET

    onsemi

    		 3,467 -
    RFQ
    		NTHD3133PFT1G

    Datenblatt

         		- 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 3.2A (Tj) 1.8V, 4.5V 80mOhm @ 3.2A, 4.5V 1.5V @ 250µA 7.4 nC @ 4.5 V ±8V 680 pF @ 10 V Schottky Diode (Isolated) 1.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount ChipFET™
    NTTFS4C25NTWG

    NTTFS4C25NTWG

    MOSFET N-CH 30V 5A/27A 8WDFN

    onsemi

    		 7,468 -
    RFQ
    		NTTFS4C25NTWG

    Datenblatt

         		- 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 5A (Ta), 27A (Tc) 4.5V, 10V 17mOhm @ 10A, 10V 2.2V @ 250µA 10.3 nC @ 10 V ±20V 500 pF @ 15 V - 690mW (Ta), 20.2W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
    NTD4969N-35G

    NTD4969N-35G

    MOSFET N-CH 30V 9.4A/41A IPAK

    onsemi

    		 8,938 -
    RFQ
    		NTD4969N-35G

    Datenblatt

         		- TO-251-3 Stub Leads, IPAK Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9.4A (Ta), 41A (Tc) 4.5V, 10V 9mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 9 nC @ 4.5 V ±20V 837 pF @ 15 V - 1.38W (Ta), 26.3W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    NDD03N60Z-1G

    NDD03N60Z-1G

    MOSFET N-CH 600V 2.6A IPAK

    onsemi

    		 4,287 -
    RFQ
    		NDD03N60Z-1G

    Datenblatt

         		- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 2.6A (Tc) 10V 3.6Ohm @ 1.2A, 10V 4.5V @ 50µA 12 nC @ 10 V ±30V 312 pF @ 25 V - 61W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    NTLJS1102PTAG

    NTLJS1102PTAG

    MOSFET P-CH 8V 3.7A 6WDFN

    onsemi

    		 8,622 -
    RFQ
    		NTLJS1102PTAG

    Datenblatt

         		µCool™ 6-WDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8 V 3.7A (Ta) 1.2V, 4.5V 36mOhm @ 6.2A, 4.5V 720mV @ 250µA 25 nC @ 4.5 V ±6V 1585 pF @ 4 V - 700mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-WDFN (2x2)
    NTLJD3182FZTAG

    NTLJD3182FZTAG

    MOSFET P-CH 20V 2.2A 6WDFN

    onsemi

    		 4,249 -
    RFQ
    		NTLJD3182FZTAG

    Datenblatt

         		- 6-WDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2.2A (Ta) 1.8V, 4.5V 100mOhm @ 2A, 4.5V 1V @ 250µA 7.8 nC @ 4.5 V ±8V 450 pF @ 10 V Schottky Diode (Isolated) 710mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-WDFN (2x2)
    FDU6N25

    FDU6N25

    MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK

    onsemi

    		 9,380 -
    RFQ
    		FDU6N25

    Datenblatt

         		UniFET™ TO-251-3 Stub Leads, IPAK Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 4.4A (Tc) 10V 1.1Ohm @ 2.2A, 10V 5V @ 250µA 6 nC @ 10 V ±30V 250 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    CPH3307-TL-E

    CPH3307-TL-E

    MOSFET P-CH

    Sanyo

    		 27,000 -
    RFQ

    -

    		 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTHS4111PT1

    NTHS4111PT1

    P-CHANNEL MOSFET

    onsemi

    		 24,600 -
    RFQ
    		NTHS4111PT1

    Datenblatt

         		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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