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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    SCT3060ALHRC11

    SCT3060ALHRC11

    SICFET N-CH 650V 39A TO247N

    Rohm Semiconductor

    		 440 -
    RFQ
    		SCT3060ALHRC11

    Datenblatt

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 39A (Tc) 18V 78mOhm @ 13A, 18V 5.6V @ 6.67mA 58 nC @ 18 V +22V, -4V 852 pF @ 500 V - 165W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
    IXFB132N50P3

    IXFB132N50P3

    MOSFET N-CH 500V 132A PLUS264

    Littelfuse Inc.

    		 275 -
    RFQ
    		IXFB132N50P3

    Datenblatt

         		HiPerFET™, Polar3™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 132A (Tc) 10V 39mOhm @ 66A, 10V 5V @ 8mA 250 nC @ 10 V ±30V 18600 pF @ 25 V - 1890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS264™
    IXTN200N10T

    IXTN200N10T

    MOSFET N-CH 100V 200A SOT227B

    Littelfuse Inc.

    		 270 -
    RFQ
    		IXTN200N10T

    Datenblatt

         		Trench SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 200A (Tc) 10V 5.5mOhm @ 50A, 10V 4.5V @ 250µA 152 nC @ 10 V ±20V 9400 pF @ 25 V - 550W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
    STY60NM50

    STY60NM50

    MOSFET N-CH 500V 60A MAX247

    STMicroelectronics

    		 584 -
    RFQ
    		STY60NM50

    Datenblatt

         		MDmesh™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 60A (Tc) 10V 50mOhm @ 30A, 10V 5V @ 250µA 266 nC @ 10 V ±30V 7500 pF @ 25 V - 560W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole MAX247™
    IXFK32N80Q3

    IXFK32N80Q3

    MOSFET N-CH 800V 32A TO264AA

    IXYS

    		 442 -
    RFQ
    		IXFK32N80Q3

    Datenblatt

         		HiPerFET™, Q3 Class TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 32A (Tc) 10V 270mOhm @ 16A, 10V 6.5V @ 4mA 140 nC @ 10 V ±30V 6940 pF @ 25 V - 1000W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
    MSC040SMA120S/TR

    MSC040SMA120S/TR

    MOSFET SIC 1200 V 40 MOHM TO-268

    Microchip Technology

    		 397 -
    RFQ
    		MSC040SMA120S/TR

    Datenblatt

         		- TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 64A (Tc) 20V 50mOhm @ 40A, 20V 2.6V @ 2mA 137 nC @ 20 V +23V, -10V 1990 pF @ 1000 V - 303W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-268
    IXTN32P60P

    IXTN32P60P

    MOSFET P-CH 600V 32A SOT227B

    Littelfuse Inc.

    		 296 -
    RFQ
    		IXTN32P60P

    Datenblatt

         		PolarP™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 32A (Tc) 10V 350mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 1mA 196 nC @ 10 V ±20V 11100 pF @ 25 V - 890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
    SCT2080KEHRC11

    SCT2080KEHRC11

    SICFET N-CH 1200V 40A TO247N

    Rohm Semiconductor

    		 16,500 -
    RFQ
    		SCT2080KEHRC11

    Datenblatt

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 40A (Tc) 18V 117mOhm @ 10A, 18V 4V @ 4.4mA 106 nC @ 18 V +22V, -6V 2080 pF @ 800 V - - 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
    NVBG025N065SC1

    NVBG025N065SC1

    SIC MOS D2PAK-7L 650V

    onsemi

    		 790 -
    RFQ
    		NVBG025N065SC1

    Datenblatt

         		- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 106A (Tc) 15V, 18V 28.5mOhm @ 45A, 18V 4.3V @ 15.5mA 164 nC @ 18 V - 3480 pF @ 325 V - 395W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK-7
    AIMW120R060M1HXKSA1

    AIMW120R060M1HXKSA1

    1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3

    Infineon Technologies

    		 220 -
    RFQ
    		AIMW120R060M1HXKSA1

    Datenblatt

         		CoolSiC™ TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 36A (Tc) 18V 78mOhm @ 13A, 18V 5.7V @ 5.6mA 31 nC @ 18 V +23V, -7V 1060 pF @ 800 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO247-3-41
    IXFK360N15T2

    IXFK360N15T2

    MOSFET N-CH 150V 360A TO264AA

    Littelfuse Inc.

    		 297 -
    RFQ
    		IXFK360N15T2

    Datenblatt

         		HiPerFET™, TrenchT2™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 360A (Tc) 10V 4mOhm @ 60A, 10V 5V @ 8mA 715 nC @ 10 V ±20V 47500 pF @ 25 V - 1670W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
    C3M0040120J1-TR

    C3M0040120J1-TR

    1200V 40 M SIC MOSFET

    Wolfspeed, Inc.

    		 1,382 -
    RFQ
    		C3M0040120J1-TR

    Datenblatt

         		C3M™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 64A (Tc) 15V 53.5mOhm @ 33.3A, 15V 3.6V @ 9.2mA 94 nC @ 15 V +15V, -4V 2900 pF @ 1000 V - 272W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
    IXFN160N30T

    IXFN160N30T

    MOSFET N-CH 300V 130A SOT227B

    Littelfuse Inc.

    		 490 -
    RFQ
    		IXFN160N30T

    Datenblatt

         		HiPerFET™, Trench SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 130A (Tc) 10V 19mOhm @ 60A, 10V 5V @ 8mA 335 nC @ 10 V ±20V 28000 pF @ 25 V - 900W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
    NVH4L022N120M3S

    NVH4L022N120M3S

    SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V

    onsemi

    		 820 -
    RFQ
    		NVH4L022N120M3S

    Datenblatt

         		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 68A (Tc) 18V 30mOhm @ 40A, 18V 4.4V @ 20mA 151 nC @ 18 V +22V, -10V 3175 pF @ 800 V - 352W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
    IXFK52N100X

    IXFK52N100X

    MOSFET N-CH 1000V 52A TO264

    Littelfuse Inc.

    		 265 -
    RFQ
    		IXFK52N100X

    Datenblatt

         		HiPerFET™, Ultra X TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 52A (Tc) 10V 125mOhm @ 26A, 10V 6V @ 4mA 245 nC @ 10 V ±30V 6725 pF @ 25 V - 1250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264
    NVHL020N090SC1

    NVHL020N090SC1

    SICFET N-CH 900V 118A TO247-3

    onsemi

    		 168 -
    RFQ
    		NVHL020N090SC1

    Datenblatt

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 900 V 118A (Tc) 15V 28mOhm @ 60A, 15V 4.3V @ 20mA 196 nC @ 15 V +19V, -10V 4415 pF @ 450 V - 503W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
    IXFB44N100P

    IXFB44N100P

    MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264

    Littelfuse Inc.

    		 300 -
    RFQ
    		IXFB44N100P

    Datenblatt

         		HiPerFET™, Polar TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 44A (Tc) 10V 220mOhm @ 22A, 10V 6.5V @ 1mA 305 nC @ 10 V ±30V 19000 pF @ 25 V - 1250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS264™
    IXFN210N30P3

    IXFN210N30P3

    MOSFET N-CH 300V 192A SOT227B

    IXYS

    		 300 -
    RFQ
    		IXFN210N30P3

    Datenblatt

         		HiPerFET™, Polar3™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 192A (Tc) 10V 14.5mOhm @ 105A, 10V 5V @ 8mA 268 nC @ 10 V ±20V 16200 pF @ 25 V - 1500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
    IXKK85N60C

    IXKK85N60C

    MOSFET N-CH 600V 85A TO264A

    IXYS

    		 138 -
    RFQ
    		IXKK85N60C

    Datenblatt

         		CoolMOS™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 85A (Tc) 10V 36mOhm @ 55A, 10V 4V @ 4mA 650 nC @ 10 V ±20V - - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA
    SCT3030AW7TL

    SCT3030AW7TL

    SICFET N-CH 650V 70A TO263-7

    Rohm Semiconductor

    		 432 -
    RFQ
    		SCT3030AW7TL

    Datenblatt

         		- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 70A (Tc) - 39mOhm @ 27A, 18V 5.6V @ 13.3mA 104 nC @ 18 V +22V, -4V 1526 pF @ 500 V - 267W 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
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