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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    SCT2160KEHRC11

    SCT2160KEHRC11

    1200V, 22A, THD, SILICON-CARBIDE

    Rohm Semiconductor

    		 374 -
    RFQ
    		SCT2160KEHRC11

    Datenblatt

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 22A (Tc) 18V 208mOhm @ 7A, 18V 4V @ 2.5mA 62 nC @ 18 V +22V, -6V 1200 pF @ 800 V - 165W (Tc) 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
    IXTR102N65X2

    IXTR102N65X2

    MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247

    Littelfuse Inc.

    		 300 -
    RFQ
    		IXTR102N65X2

    Datenblatt

         		Ultra X2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 54A (Tc) 10V 33mOhm @ 51A, 10V 5V @ 250µA 152 nC @ 10 V ±30V 10900 pF @ 25 V - 330W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
    SCT4026DW7HRTL

    SCT4026DW7HRTL

    750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

    Rohm Semiconductor

    		 995 -
    RFQ
    		SCT4026DW7HRTL

    Datenblatt

         		- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 51A (Tc) 18V 34mOhm @ 29A, 18V 4.8V @ 15.4mA 94 nC @ 18 V +21V, -4V 2320 pF @ 500 V - 150W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7L
    SCT4026DW7TL

    SCT4026DW7TL

    750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

    Rohm Semiconductor

    		 988 -
    RFQ
    		SCT4026DW7TL

    Datenblatt

         		- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 51A (Tj) 18V 34mOhm @ 29A, 18V 4.8V @ 15.4mA 94 nC @ 18 V +21V, -4V 2320 pF @ 500 V - 150W 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7L
    IPZA65R018CFD7XKSA1

    IPZA65R018CFD7XKSA1

    HIGH POWER_NEW

    Infineon Technologies

    		 238 -
    RFQ
    		IPZA65R018CFD7XKSA1

    Datenblatt

         		CoolMOS™ CFD7 TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 106A (Tc) 10V 18mOhm @ 58.2A, 10V 4.5V @ 2.91mA 234 nC @ 10 V ±20V 11660 pF @ 400 V - 446W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4-3
    NVHL027N65S3F

    NVHL027N65S3F

    MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3

    onsemi

    		 479 -
    RFQ
    		NVHL027N65S3F

    Datenblatt

         		SuperFET® III, FRFET® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 75A (Tc) 10V 27.4mOhm @ 35A, 10V 5V @ 3mA 227 nC @ 10 V ±30V 7780 pF @ 400 V - 595W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
    IXFR24N100Q3

    IXFR24N100Q3

    MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247

    Littelfuse Inc.

    		 337 -
    RFQ
    		IXFR24N100Q3

    Datenblatt

         		HiPerFET™, Q3 Class TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 18A (Tc) 10V 490mOhm @ 12A, 10V 6.5V @ 4mA 140 nC @ 10 V ±30V 7200 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
    C3M0075120D-A

    C3M0075120D-A

    75M 1200V 175C SIC FET

    Wolfspeed, Inc.

    		 379 -
    RFQ
    		C3M0075120D-A

    Datenblatt

         		C3M™ TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 32A (Tc) 15V 90mOhm @ 20A, 15V 3.6V @ 5mA 54 nC @ 15 V +15V, -4V 1390 pF @ 1000 V - 136W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IXFL100N50P

    IXFL100N50P

    MOSFET N-CH 500V 70A ISOPLUS264

    Littelfuse Inc.

    		 225 -
    RFQ
    		IXFL100N50P

    Datenblatt

         		HiPerFET™, Polar TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 70A (Tc) 10V 52mOhm @ 50A, 10V 5V @ 8mA 240 nC @ 10 V ±30V 20000 pF @ 25 V - 625W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS264™
    SCTWA50N120

    SCTWA50N120

    SICFET N-CH 1200V 65A HIP247

    STMicroelectronics

    		 378 -
    RFQ
    		SCTWA50N120

    Datenblatt

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 65A (Tc) 20V 69mOhm @ 40A, 20V 3V @ 1mA 122 nC @ 20 V +25V, -10V 1900 pF @ 400 V - 318W (Tc) -55°C ~ 200°C (TJ) - - Through Hole HiP247™
    STY100NM60N

    STY100NM60N

    MOSFET N CH 600V 98A MAX247

    STMicroelectronics

    		 600 -
    RFQ
    		STY100NM60N

    Datenblatt

         		MDmesh™ II TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 98A (Tc) 10V 29mOhm @ 49A, 10V 4V @ 250µA 330 nC @ 10 V 25V 9600 pF @ 50 V - 625W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole MAX247™
    IXFX44N80P

    IXFX44N80P

    MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247-3

    Littelfuse Inc.

    		 300 -
    RFQ
    		IXFX44N80P

    Datenblatt

         		HiPerFET™, Polar TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 44A (Tc) 10V 190mOhm @ 22A, 10V 5V @ 8mA 198 nC @ 10 V ±30V 12000 pF @ 25 V - 1040W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
    IXFK32N100P

    IXFK32N100P

    MOSFET N-CH 1000V 32A TO264AA

    Littelfuse Inc.

    		 300 -
    RFQ
    		IXFK32N100P

    Datenblatt

         		HiPerFET™, Polar TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 32A (Tc) 10V 320mOhm @ 16A, 10V 6.5V @ 1mA 225 nC @ 10 V ±30V 14200 pF @ 25 V - 960W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
    IXFB110N60P3

    IXFB110N60P3

    MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264

    Littelfuse Inc.

    		 118 -
    RFQ
    		IXFB110N60P3

    Datenblatt

         		HiPerFET™, Polar3™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 110A (Tc) 10V 56mOhm @ 55A, 10V 5V @ 8mA 245 nC @ 10 V ±30V 18000 pF @ 25 V - 1890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS264™
    S2M0040120D

    S2M0040120D

    MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

    SMC Diode Solutions

    		 221 -
    RFQ

    -

    		 - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V - - - - - - - - - - - - Through Hole TO-247-3
    IXFR80N50Q3

    IXFR80N50Q3

    MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247

    Littelfuse Inc.

    		 192 -
    RFQ
    		IXFR80N50Q3

    Datenblatt

         		HiPerFET™, Q3 Class TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 50A (Tc) 10V 72mOhm @ 40A, 10V 6.5V @ 8mA 200 nC @ 10 V ±30V 10000 pF @ 25 V - 570W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
    S2M0040120K

    S2M0040120K

    MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

    SMC Diode Solutions

    		 103 -
    RFQ

    -

    		 - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V - - - - - - - - - - - - Through Hole TO-247-4
    NTH4L027N65S3F

    NTH4L027N65S3F

    MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4

    onsemi

    		 449 -
    RFQ
    		NTH4L027N65S3F

    Datenblatt

         		FRFET®, SuperFET® III TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 75A (Tc) 10V 27.4mOhm @ 35A, 10V 5V @ 3mA 259 nC @ 10 V ±30V 7690 pF @ 400 V - 595W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    NTH027N65S3F-F155

    NTH027N65S3F-F155

    MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3

    onsemi

    		 472 -
    RFQ
    		NTH027N65S3F-F155

    Datenblatt

         		FRFET®, SuperFET® II TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 75A (Tc) 10V 27.4mOhm @ 35A, 10V 5V @ 7.5mA 259 nC @ 10 V ±30V 7690 pF @ 400 V - 595W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IXKR47N60C5

    IXKR47N60C5

    MOSFET N-CH 600V 47A ISOPLUS247

    Littelfuse Inc.

    		 107 -
    RFQ
    		IXKR47N60C5

    Datenblatt

         		CoolMOS™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 47A (Tc) 10V 45mOhm @ 44A, 10V 3.5V @ 3mA 190 nC @ 10 V ±20V 6800 pF @ 100 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
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