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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    SQM40010EL_GE3

    SQM40010EL_GE3

    MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

    Vishay Siliconix

    		 3,475 -
    RFQ
    		SQM40010EL_GE3

    Datenblatt

         		TrenchFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 4.5V, 10V 1.6mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 230 nC @ 10 V ±20V 17100 pF @ 20 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    STP80NF55-08AG

    STP80NF55-08AG

    MOSFET N-CHANNEL 55V 80A TO220

    STMicroelectronics

    		 4,741 -
    RFQ
    		STP80NF55-08AG

    Datenblatt

         		STripFET™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 10V 8mOhm @ 40A, 10V 4V @ 250µA 112 nC @ 10 V ±20V 3740 pF @ 15 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220
    IXFH21N50F

    IXFH21N50F

    MOSFET N-CH 500V 21A TO247

    IXYS

    		 3,279 -
    RFQ

    -

    		 HiPerRF™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 21A (Tc) 10V 250mOhm @ 10.5A, 10V 5.5V @ 4mA 77 nC @ 10 V ±20V 2600 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXFH)
    IXFK21N100F

    IXFK21N100F

    MOSFET N-CH 1000V 21A TO264

    IXYS

    		 8,174 -
    RFQ

    -

    		 HiPerRF™ TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 21A (Tc) 10V 500mOhm @ 10.5A, 10V 5.5V @ 4mA 160 nC @ 10 V ±20V 5500 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA
    IXFN55N50F

    IXFN55N50F

    MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B

    IXYS

    		 5,033 -
    RFQ

    -

    		 HiPerFET™, F Class SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 55A (Tc) 10V 85mOhm @ 27.5A, 10V 5.5V @ 8mA 195 nC @ 10 V ±20V 6700 pF @ 25 V - 600W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
    APT1001R1BN

    APT1001R1BN

    MOSFET N-CH 1000V 10.5A TO247AD

    Microchip Technology

    		 6,643 -
    RFQ
    		APT1001R1BN

    Datenblatt

         		POWER MOS IV® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 10.5A (Tc) 10V 1.1Ohm @ 5.25A, 10V 4V @ 1mA 130 nC @ 10 V ±30V 2950 pF @ 25 V - 310W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
    APT1001RBN

    APT1001RBN

    MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD

    Microchip Technology

    		 8,115 -
    RFQ
    		APT1001RBN

    Datenblatt

         		POWER MOS IV® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 11A (Tc) 10V 1Ohm @ 5.5A, 10V 4V @ 1mA 130 nC @ 10 V ±30V 2950 pF @ 25 V - 310W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
    APT1002RBNG

    APT1002RBNG

    MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD

    Microsemi Corporation

    		 2,649 -
    RFQ

    -

    		 POWER MOS IV® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 8A (Tc) 10V 1.6Ohm @ 4A, 10V 4V @ 1mA 105 nC @ 10 V ±30V 1800 pF @ 25 V - 240W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
    APT4065BNG

    APT4065BNG

    MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD

    Microsemi Corporation

    		 2,899 -
    RFQ

    -

    		 POWER MOS IV® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 11A (Tc) 10V 650mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 1mA 55 nC @ 10 V ±30V 950 pF @ 25 V - 180W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
    APT40M42JN

    APT40M42JN

    MOSFET N-CH 400V 86A ISOTOP

    Microsemi Corporation

    		 4,549 -
    RFQ
    		APT40M42JN

    Datenblatt

         		POWER MOS IV® SOT-227-4, miniBLOC Tray Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 86A (Tc) 10V 42mOhm @ 43A, 10V 4V @ 5mA 760 nC @ 10 V ±30V 14000 pF @ 25 V - 690W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP®
    APT40M75JN

    APT40M75JN

    MOSFET N-CH 400V 56A ISOTOP

    Microsemi Corporation

    		 4,050 -
    RFQ
    		APT40M75JN

    Datenblatt

         		POWER MOS IV® SOT-227-4, miniBLOC Tray Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 56A (Tc) 10V 75mOhm @ 28A, 10V 4V @ 2.5mA 370 nC @ 10 V ±30V 6800 pF @ 25 V - 520W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP®
    APT5012JN

    APT5012JN

    MOSFET N-CH 500V 43A ISOTOP

    Microsemi Corporation

    		 4,601 -
    RFQ
    		APT5012JN

    Datenblatt

         		POWER MOS IV® SOT-227-4, miniBLOC Tray Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 43A (Tc) 10V 120mOhm @ 21.5A, 10V 4V @ 2.5mA 370 nC @ 10 V ±30V 6500 pF @ 25 V - 520W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP®
    APT5020BN

    APT5020BN

    MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD

    Microchip Technology

    		 8,858 -
    RFQ
    		APT5020BN

    Datenblatt

         		POWER MOS IV® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 28A (Tc) 10V 200mOhm @ 14A, 10V 4V @ 1mA 210 nC @ 10 V ±30V 3500 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
    APT5020BNFR

    APT5020BNFR

    MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD

    Microchip Technology

    		 4,485 -
    RFQ

    -

    		 POWER MOS IV® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 28A (Tc) 10V 200mOhm @ 14A, 10V 4V @ 1mA 210 nC @ 10 V ±30V 3500 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
    APT5022BNG

    APT5022BNG

    MOSFET N-CH 500V 27A TO247AD

    Microsemi Corporation

    		 9,853 -
    RFQ
    		APT5022BNG

    Datenblatt

         		POWER MOS IV® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 27A (Tc) 10V 220mOhm @ 13.5A, 10V 4V @ 1mA 210 nC @ 10 V ±30V 3500 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
    APT5025BN

    APT5025BN

    MOSFET N-CH 500V 23A TO247AD

    Microsemi Corporation

    		 9,812 -
    RFQ
    		APT5025BN

    Datenblatt

         		POWER MOS IV® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 23A (Tc) 10V 250mOhm @ 11.5A, 10V 4V @ 1mA 130 nC @ 10 V ±30V 2950 pF @ 25 V - 310W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
    APT6030BN

    APT6030BN

    MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD

    Microsemi Corporation

    		 9,500 -
    RFQ
    		APT6030BN

    Datenblatt

         		POWER MOS IV® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 23A (Tc) 10V 300mOhm @ 11.5A, 10V 4V @ 1mA 210 nC @ 10 V ±30V 3500 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
    APT6040BN

    APT6040BN

    MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD

    Microsemi Corporation

    		 8,063 -
    RFQ
    		APT6040BN

    Datenblatt

         		POWER MOS IV® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 18A (Tc) 10V 400mOhm @ 9A, 10V 4V @ 1mA 130 nC @ 10 V ±30V 2950 pF @ 25 V - 310W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
    APT6040BNG

    APT6040BNG

    MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD

    Microsemi Corporation

    		 9,818 -
    RFQ
    		APT6040BNG

    Datenblatt

         		POWER MOS IV® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 18A (Tc) 10V 400mOhm @ 9A, 10V 4V @ 1mA 130 nC @ 10 V ±30V 2950 pF @ 25 V - 310W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
    APT8018JN

    APT8018JN

    MOSFET N-CH 800V 40A ISOTOP

    Microsemi Corporation

    		 6,899 -
    RFQ
    		APT8018JN

    Datenblatt

         		POWER MOS IV® SOT-227-4, miniBLOC Tray Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 40A (Tc) 10V 180mOhm @ 20A, 10V 4V @ 5mA 700 nC @ 10 V ±30V 14000 pF @ 25 V - 690W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP®
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