FETs, MOSFETs

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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Ergebnis

FETs und MOSFETs

TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
64-2120PBF

64-2120PBF

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

Infineon Technologies

4,809 -
RFQ
64-2120PBF

Datenblatt

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
64-2127PBF

64-2127PBF

MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7

Infineon Technologies

4,406 -
RFQ
64-2127PBF

Datenblatt

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
64-2137PBF

64-2137PBF

MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK

Infineon Technologies

5,601 -
RFQ
64-2137PBF

Datenblatt

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
64-2143PBF

64-2143PBF

MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK

Infineon Technologies

4,790 -
RFQ
64-2143PBF

Datenblatt

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
64-2155PBF

64-2155PBF

MOSFET N-CH 150V 86A D2PAK

Infineon Technologies

5,148 -
RFQ
64-2155PBF

Datenblatt

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
94-2183PBF

94-2183PBF

MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK

Infineon Technologies

9,369 -
RFQ
94-2183PBF

Datenblatt

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
94-2436PBF

94-2436PBF

MOSFET N-CH 55V 30A DPAK

Infineon Technologies

5,400 -
RFQ
94-2436PBF

Datenblatt

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
98-0193

98-0193

IC MOSFET HS PWR SW 35A D2PAK

Infineon Technologies

4,894 -
RFQ
98-0193

Datenblatt

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
AUXBNLS3036TRL

AUXBNLS3036TRL

MOSFET N-CH 60V 195A D2-PAK

Infineon Technologies

6,271 -
RFQ
AUXBNLS3036TRL

Datenblatt

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
AUXDIFZ44ESTRL

AUXDIFZ44ESTRL

MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK

Infineon Technologies

6,674 -
RFQ
AUXDIFZ44ESTRL

Datenblatt

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IPI50R399CPXKSA2

IPI50R399CPXKSA2

MOSFET N-CH 500V 9A TO262-3

Infineon Technologies

4,556 -
RFQ
IPI50R399CPXKSA2

Datenblatt

CoolMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 9A (Tc) 10V 399mOhm @ 4.9A, 10V 3.5V @ 330µA 23 nC @ 10 V ±20V 890 pF @ 100 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
IPP023N04NGHKSA1

IPP023N04NGHKSA1

MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3

Infineon Technologies

8,760 -
RFQ
IPP023N04NGHKSA1

Datenblatt

OptiMOS™ 3 - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IPP037N06L3GHKSA1

IPP037N06L3GHKSA1

MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3

Infineon Technologies

4,133 -
RFQ
IPP037N06L3GHKSA1

Datenblatt

OptiMOS™ 3 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 90A (Tc) 4.5V, 10V 3.7mOhm @ 90A, 10V 2.2V @ 93µA 79 nC @ 4.5 V ±20V 13000 pF @ 30 V - 167W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
IPP05CN10NGHKSA1

IPP05CN10NGHKSA1

MOSFET N-CH 100V 100A TO-220

Infineon Technologies

8,386 -
RFQ
IPP05CN10NGHKSA1

Datenblatt

OptiMOS™ 2 - Tube Active - - - 100A (Tc) - - - - - - - - - - - - -
SPP11N65C3HKSA1

SPP11N65C3HKSA1

MOSFET N-CH 650V 11A TO-220

Infineon Technologies

3,532 -
RFQ
SPP11N65C3HKSA1

Datenblatt

CoolMOS™ - Tube Active - - - 11A (Tc) - - - - - - - - - - - - -
IPD60R380E6BTMA1

IPD60R380E6BTMA1

MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3

Infineon Technologies

6,500 -
RFQ
IPD60R380E6BTMA1

Datenblatt

CoolMOS™ E6 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10.6A (Tc) 10V 380mOhm @ 3.8A, 10V 3.5V @ 300µA 32 nC @ 10 V ±20V 700 pF @ 100 V - 83W (Tc) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
IPU80R1K4CEAKMA1

IPU80R1K4CEAKMA1

MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3

Infineon Technologies

3,906 -
RFQ
IPU80R1K4CEAKMA1

Datenblatt

CoolMOS™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 3.9A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 2.3A, 10V 3.9V @ 240µA 23 nC @ 10 V ±20V 570 pF @ 100 V - 63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3
EPC2030ENGRT

EPC2030ENGRT

GANFET NCH 40V 31A DIE

EPC

6,032 -
RFQ
EPC2030ENGRT

Datenblatt

eGaN® Die Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 40 V 31A (Ta) 5V 2.4mOhm @ 30A, 5V 2.5V @ 16mA 18 nC @ 5 V +6V, -4V 1900 pF @ 20 V - - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Die
EPC2031ENGRT

EPC2031ENGRT

GANFET NCH 60V 31A DIE

EPC

8,440 -
RFQ
EPC2031ENGRT

Datenblatt

eGaN® Die Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 60 V 31A (Ta) 5V 2.6mOhm @ 30A, 5V 2.5V @ 15mA 17 nC @ 5 V +6V, -4V 1800 pF @ 300 V - - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Die
DMP6185SE-7

DMP6185SE-7

MOSFET P-CH 60V 3A SOT223

Diodes Incorporated

6,106 -
RFQ
DMP6185SE-7

Datenblatt

- TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 3A (Ta) 4.5V, 10V 150mOhm @ 2.2A, 10V 3V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±20V 708 pF @ 30 V - 1.2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount SOT-223-3
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