FETs, MOSFETs

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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FETs und MOSFETs

TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
AOB11C60

AOB11C60

MOSFET N-CH 600V 11A TO263

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

3,208 -
RFQ
AOB11C60

Datenblatt

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 440mOhm @ 5.5A, 10V 5V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±30V 2000 pF @ 100 V - 278W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
AOB20C60

AOB20C60

MOSFET N-CH 600V 20A TO263

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

3,726 -
RFQ
AOB20C60

Datenblatt

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 250mOhm @ 10A, 10V 5V @ 250µA 74 nC @ 10 V ±30V 3440 pF @ 100 V - 463W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
AOD4160

AOD4160

MOSFET N-CH TO-252

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

7,003 -
RFQ

-

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
AOI452A

AOI452A

MOSFET N-CH 25V 55A TO251A

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

5,840 -
RFQ
AOI452A

Datenblatt

SDMOS™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 55A (Tc) 4.5V, 10V 7.3mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 26 nC @ 10 V ±20V 1450 pF @ 12.5 V - 3.2W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-251A
AON7548

AON7548

MOSFET N-CH 30V 24A 8DFN

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

6,193 -
RFQ
AON7548

Datenblatt

AlphaMOS 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 24A (Tc) 4.5V, 10V 8.8mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 22 nC @ 10 V ±20V 1086 pF @ 15 V - 3.1W (Ta), 23W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)
AOY516

AOY516

MOSFET N-CH 30V 46A TO251B

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

3,443 -
RFQ
AOY516

Datenblatt

AlphaMOS TO-251-3 Stub Leads, IPAK Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 46A (Tc) 4.5V, 10V 5mOhm @ 20A, 10V 2.6V @ 250µA 33 nC @ 10 V ±20V 1333 pF @ 15 V - 2.5W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-251B
TPH3202PS

TPH3202PS

GANFET N-CH 600V 9A TO220AB

Transphorm

4,635 -
RFQ
TPH3202PS

Datenblatt

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 600 V 9A (Tc) 10V 350mOhm @ 5.5A, 8V 2.5V @ 250µA 9.3 nC @ 4.5 V ±18V 760 pF @ 480 V - 65W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
TPH3202LD

TPH3202LD

GANFET N-CH 600V 9A 4PQFN

Transphorm

2,850 -
RFQ
TPH3202LD

Datenblatt

- 4-PowerDFN Tube Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 600 V 9A (Tc) 10V 350mOhm @ 5.5A, 8V 2.5V @ 250µA 9.3 nC @ 4.5 V ±18V 760 pF @ 480 V - 65W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 4-PQFN (8x8)
TPH3206LD

TPH3206LD

GANFET N-CH 600V 17A PQFN

Transphorm

6,343 -
RFQ
TPH3206LD

Datenblatt

- 4-PowerDFN Tube Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 600 V 17A (Tc) 10V 180mOhm @ 11A, 8V 2.6V @ 500µA 9.3 nC @ 4.5 V ±18V 760 pF @ 480 V - 96W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 4-PQFN (8x8)
TPH3208PS

TPH3208PS

GANFET N-CH 650V 20A TO220AB

Transphorm

5,167 -
RFQ
TPH3208PS

Datenblatt

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) 650 V 20A (Tc) 10V 130mOhm @ 13A, 8V 2.6V @ 300µA 14 nC @ 8 V ±18V 760 pF @ 400 V - 96W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
TPH3208LD

TPH3208LD

GANFET N-CH 650V 20A 4PQFN

Transphorm

4,804 -
RFQ
TPH3208LD

Datenblatt

- 4-PowerDFN Tube Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 650 V 20A (Tc) 10V 130mOhm @ 13A, 8V 2.6V @ 300µA 14 nC @ 8 V ±18V 760 pF @ 400 V - 96W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-PQFN (8x8)
TPH3207WS

TPH3207WS

GANFET N-CH 650V 50A TO247-3

Transphorm

6,522 -
RFQ
TPH3207WS

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 650 V 50A (Tc) 10V 41mOhm @ 32A, 8V 2.65V @ 700µA 42 nC @ 8 V ±18V 2197 pF @ 400 V - 178W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
TPH3202PD

TPH3202PD

GANFET N-CH 600V 9A TO220AB

Transphorm

8,196 -
RFQ
TPH3202PD

Datenblatt

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 600 V 9A (Tc) 10V 350mOhm @ 5.5A, 8V 2.5V @ 250µA 9.3 nC @ 4.5 V ±18V 760 pF @ 480 V - 65W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
TPH3202LS

TPH3202LS

GANFET N-CH 600V 9A 3PQFN

Transphorm

3,416 -
RFQ
TPH3202LS

Datenblatt

- 3-PowerDFN Tube Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 600 V 9A (Tc) 10V 350mOhm @ 5.5A, 8V 2.5V @ 250µA 9.3 nC @ 4.5 V ±18V 760 pF @ 480 V - 65W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 3-PQFN (8x8)
TPH3208PD

TPH3208PD

GANFET N-CH 650V 20A TO220AB

Transphorm

6,493 -
RFQ
TPH3208PD

Datenblatt

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 650 V 20A (Tc) 10V 130mOhm @ 13A, 8V 2.6V @ 300µA 14 nC @ 8 V ±18V 760 pF @ 400 V - 96W (Tc) -55°C ~ 150°C - - Through Hole TO-220AB
TPH3208LS

TPH3208LS

GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN

Transphorm

4,216 -
RFQ
TPH3208LS

Datenblatt

- 3-PowerDFN Tube Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 650 V 20A (Tc) 10V 130mOhm @ 13A, 8V 2.6V @ 300µA 14 nC @ 8 V ±18V 760 pF @ 400 V - 96W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 3-PQFN (8x8)
64-0055PBF

64-0055PBF

MOSFET N-CH 60V 160A TO220AB

Infineon Technologies

7,602 -
RFQ
64-0055PBF

Datenblatt

HEXFET® - Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 160A (Tc) 10V 4.2mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 120 nC @ 10 V ±20V 4520 pF @ 50 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole -
TPH3205WSB

TPH3205WSB

GANFET N-CH 650V 36A TO247-3

Transphorm

7,363 -
RFQ
TPH3205WSB

Datenblatt

- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 650 V 36A (Tc) 10V 60mOhm @ 22A, 8V 2.6V @ 700µA 42 nC @ 8 V ±18V 2200 pF @ 400 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IRFC3004EB

IRFC3004EB

MOSFET N-CH WAFER

Infineon Technologies

4,010 -
RFQ
IRFC3004EB

Datenblatt

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRFC3205ZEB

IRFC3205ZEB

MOSFET N-CH WAFER

Infineon Technologies

3,961 -
RFQ
IRFC3205ZEB

Datenblatt

* - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
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