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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    BUK9Y12-55B,115

    BUK9Y12-55B,115

    MOSFET N-CH 55V 61.8A LFPAK56

    Nexperia USA Inc.

    		 3,596 -
    RFQ
    		BUK9Y12-55B,115

    Datenblatt

         		TrenchMOS™ SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 61.8A (Tc) 5V, 10V 11mOhm @ 20A, 10V 2.15V @ 1mA 32 nC @ 5 V ±15V 2880 pF @ 25 V - 106W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
    FCH25N60N

    FCH25N60N

    MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3

    onsemi

    		 9,281 -
    RFQ
    		FCH25N60N

    Datenblatt

         		SupreMOS™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 25A (Tc) 10V 126mOhm @ 12.5A, 10V 4V @ 250µA 74 nC @ 10 V ±30V 3352 pF @ 100 V - 216W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    FCH47N60NF

    FCH47N60NF

    MOSFET N-CH 600V 45.8A TO247-3

    onsemi

    		 9,621 -
    RFQ
    		FCH47N60NF

    Datenblatt

         		SupreMOS™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 45.8A (Tc) 10V 65mOhm @ 23.5A, 10V 4V @ 250µA 157 nC @ 10 V ±30V 6120 pF @ 100 V - 368W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    FCH76N60NF

    FCH76N60NF

    MOSFET N-CH 600V 72.8A TO247-3

    onsemi

    		 2,261 -
    RFQ
    		FCH76N60NF

    Datenblatt

         		SupreMOS™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 72.8A (Tc) 10V 38mOhm @ 38A, 10V 5V @ 250µA 300 nC @ 10 V ±30V 11045 pF @ 100 V - 543W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    FDD10N20LZTM

    FDD10N20LZTM

    MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK

    onsemi

    		 4,441 -
    RFQ
    		FDD10N20LZTM

    Datenblatt

         		UniFET™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 7.6A (Tc) 5V, 10V 360mOhm @ 3.8A, 10V 2.5V @ 250µA 16 nC @ 10 V ±20V 585 pF @ 25 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    FDP10N60NZ

    FDP10N60NZ

    MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3

    onsemi

    		 5,424 -
    RFQ
    		FDP10N60NZ

    Datenblatt

         		UniFET-II™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10A (Tc) 10V 750mOhm @ 5A, 10V 5V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±25V 1475 pF @ 25 V - 185W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    FDP12N60NZ

    FDP12N60NZ

    MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3

    onsemi

    		 3,796 -
    RFQ
    		FDP12N60NZ

    Datenblatt

         		UniFET-II™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) 10V 650mOhm @ 6A, 10V 5V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±30V 1676 pF @ 25 V - 240W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    FDP7N60NZ

    FDP7N60NZ

    MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220-3

    onsemi

    		 8,708 -
    RFQ
    		FDP7N60NZ

    Datenblatt

         		UniFET-II™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6.5A (Tc) 10V 1.25Ohm @ 3.25A, 10V 5V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±30V 730 pF @ 25 V - 147W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    FDPF10N60NZ

    FDPF10N60NZ

    MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

    onsemi

    		 6,152 -
    RFQ
    		FDPF10N60NZ

    Datenblatt

         		UniFET-II™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10A (Tc) 10V 750mOhm @ 5A, 10V 5V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±25V 1475 pF @ 25 V - 38W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    FDPF3N50NZ

    FDPF3N50NZ

    MOSFET N-CH 500V 3A TO220F

    onsemi

    		 2,638 -
    RFQ
    		FDPF3N50NZ

    Datenblatt

         		UniFET-II™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 3A (Tc) 10V 2.5Ohm @ 1.5A, 10V 5V @ 250µA 9 nC @ 10 V ±25V 280 pF @ 25 V - 27W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    FDPF5N60NZ

    FDPF5N60NZ

    MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F

    onsemi

    		 8,735 -
    RFQ
    		FDPF5N60NZ

    Datenblatt

         		UniFET-II™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 4.5A (Tc) 10V 2Ohm @ 2.25A, 10V 5V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±25V 600 pF @ 25 V - 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    FDPF7N60NZ

    FDPF7N60NZ

    MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220F

    onsemi

    		 9,762 -
    RFQ
    		FDPF7N60NZ

    Datenblatt

         		UniFET-II™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6.5A (Tc) 10V 1.25Ohm @ 3.25A, 10V 5V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±30V 730 pF @ 25 V - 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    AUIRF1010EZS

    AUIRF1010EZS

    MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

    Infineon Technologies

    		 4,606 -
    RFQ
    		AUIRF1010EZS

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 75A (Tc) 10V 8.5mOhm @ 51A, 10V 4V @ 250µA 86 nC @ 10 V ±20V 2810 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    AUIRF1010EZSTRL

    AUIRF1010EZSTRL

    MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

    Infineon Technologies

    		 7,745 -
    RFQ
    		AUIRF1010EZSTRL

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 75A (Tc) 10V 8.5mOhm @ 51A, 10V 4V @ 250µA 86 nC @ 10 V ±20V 2810 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    AUIRF1010Z

    AUIRF1010Z

    MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

    Infineon Technologies

    		 6,906 -
    RFQ
    		AUIRF1010Z

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) - 7.5mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 95 nC @ 10 V - 2840 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    AUIRF1010ZS

    AUIRF1010ZS

    MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

    Infineon Technologies

    		 9,297 -
    RFQ
    		AUIRF1010ZS

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) 10V 7.5mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±20V 2840 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    AUIRF1324S

    AUIRF1324S

    MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK

    Infineon Technologies

    		 7,766 -
    RFQ
    		AUIRF1324S

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24 V 195A (Tc) 10V 1.65mOhm @ 195A, 10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V 7590 pF @ 24 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    AUIRF1324S-7P

    AUIRF1324S-7P

    MOSFET N-CH 24V 240A D2PAK

    Infineon Technologies

    		 8,939 -
    RFQ
    		AUIRF1324S-7P

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24 V 240A (Tc) - 1mOhm @ 160A, 10V 4V @ 250µA 252 nC @ 10 V - 7700 pF @ 19 V - - - - - Surface Mount D2PAK (7-Lead)
    AUIRF1324STRL

    AUIRF1324STRL

    MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK

    Infineon Technologies

    		 3,400 -
    RFQ
    		AUIRF1324STRL

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24 V 195A (Tc) 10V 1.65mOhm @ 195A, 10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V 7590 pF @ 24 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    AUIRF1404ZL

    AUIRF1404ZL

    MOSFET N-CH 40V 160A TO262

    Infineon Technologies

    		 4,182 -
    RFQ
    		AUIRF1404ZL

    Datenblatt

         		HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 160A (Tc) 10V 3.7mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V 4340 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
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