Einzelne Bipolartransistoren

Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Transistortyp Strom - Kollektor (Ic) (Max) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic Strom - Kollektor-Abschaltung (Max) DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce Leistung – Max Frequenz - Übergang Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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Einzelne Bipolartransistoren

TomatoElec liefert einzelne Bipolartransistoren für Industrie, Automotive, Kommunikation, Steuerung und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst häufig verwendete einzelne BJT-Transistorprodukte für Verstärkungs-, Schalt- und Signalsteuerungsschaltungen.

Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung einzelner Bipolartransistoren und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von Transistoren, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus Transistortyp Strom - Kollektor (Ic) (Max) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic Strom - Kollektor-Abschaltung (Max) DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce Leistung – Max Frequenz - Übergang Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
2SB1495,Q(J

2SB1495,Q(J

TRANS PNP 100V 3A TO-220NIS

Toshiba Semiconductor and Storage

9,012 -
RFQ
2SB1495,Q(J

Datenblatt

- TO-220-3 Full Pack Bulk Obsolete PNP 3 A 100 V 1.5V @ 1.5mA, 1.5A 10µA (ICBO) 2000 @ 2A, 2V 2 W - 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220NIS
2SB1495,Q(M

2SB1495,Q(M

TRANS PNP 100V 3A TO-220NIS

Toshiba Semiconductor and Storage

2,128 -
RFQ
2SB1495,Q(M

Datenblatt

- TO-220-3 Full Pack Bulk Obsolete PNP 3 A 100 V 1.5V @ 1.5mA, 1.5A 10µA (ICBO) 2000 @ 2A, 2V 2 W - 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220NIS
2SC1627A-O,PASF(M

2SC1627A-O,PASF(M

TRANS NPN 80V 0.4A TO-92MOD

Toshiba Semiconductor and Storage

5,605 -
RFQ
2SC1627A-O,PASF(M

Datenblatt

- TO-226-3, TO-92-3 Long Body Bulk Obsolete NPN 400 mA 80 V 400mV @ 20mA, 200A 100nA (ICBO) 70 @ 50mA, 2V 800 mW 100MHz 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92MOD
2SC1627A-Y,PASF(M

2SC1627A-Y,PASF(M

TRANS NPN 80V 0.4A TO-92MOD

Toshiba Semiconductor and Storage

3,639 -
RFQ
2SC1627A-Y,PASF(M

Datenblatt

- TO-226-3, TO-92-3 Long Body Bulk Obsolete NPN 400 mA 80 V 400mV @ 20mA, 200A 100nA (ICBO) 70 @ 50mA, 2V 800 mW 100MHz 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92MOD
2SC2229(TE6SAN1F,M

2SC2229(TE6SAN1F,M

TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD

Toshiba Semiconductor and Storage

7,383 -
RFQ
2SC2229(TE6SAN1F,M

Datenblatt

- TO-226-3, TO-92-3 Long Body Bulk Obsolete NPN 50 mA 150 V 500mV @ 1mA, 10mA 100nA (ICBO) 70 @ 10mA, 5V 800 mW 120MHz 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92MOD
2SC2229-O(MIT1F,M)

2SC2229-O(MIT1F,M)

TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD

Toshiba Semiconductor and Storage

7,998 -
RFQ
2SC2229-O(MIT1F,M)

Datenblatt

- TO-226-3, TO-92-3 Long Body Bulk Obsolete NPN 50 mA 150 V 500mV @ 1mA, 10mA 100nA (ICBO) 70 @ 10mA, 5V 800 mW 120MHz 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92MOD
2SC2229-O(MITIF,M)

2SC2229-O(MITIF,M)

TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD

Toshiba Semiconductor and Storage

7,840 -
RFQ
2SC2229-O(MITIF,M)

Datenblatt

- TO-226-3, TO-92-3 Long Body Bulk Obsolete NPN 50 mA 150 V 500mV @ 1mA, 10mA 100nA (ICBO) 70 @ 10mA, 5V 800 mW 120MHz 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92MOD
2SC2229-O(SHP,F,M)

2SC2229-O(SHP,F,M)

TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD

Toshiba Semiconductor and Storage

5,208 -
RFQ
2SC2229-O(SHP,F,M)

Datenblatt

- TO-226-3, TO-92-3 Long Body Bulk Obsolete NPN 50 mA 150 V 500mV @ 1mA, 10mA 100nA (ICBO) 70 @ 10mA, 5V 800 mW 120MHz 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92MOD
2SC2229-O(SHP1,F,M

2SC2229-O(SHP1,F,M

TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD

Toshiba Semiconductor and Storage

8,519 -
RFQ
2SC2229-O(SHP1,F,M

Datenblatt

- TO-226-3, TO-92-3 Long Body Bulk Obsolete NPN 50 mA 150 V 500mV @ 1mA, 10mA 100nA (ICBO) 70 @ 10mA, 5V 800 mW 120MHz 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92MOD
2SC2229-O(T6MIT1FM

2SC2229-O(T6MIT1FM

TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD

Toshiba Semiconductor and Storage

8,971 -
RFQ
2SC2229-O(T6MIT1FM

Datenblatt

- TO-226-3, TO-92-3 Long Body Bulk Obsolete NPN 50 mA 150 V 500mV @ 1mA, 10mA 100nA (ICBO) 70 @ 10mA, 5V 800 mW 120MHz 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92MOD
2SC2229-O(T6SAN2FM

2SC2229-O(T6SAN2FM

TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD

Toshiba Semiconductor and Storage

9,301 -
RFQ
2SC2229-O(T6SAN2FM

Datenblatt

- TO-226-3, TO-92-3 Long Body Bulk Obsolete NPN 50 mA 150 V 500mV @ 1mA, 10mA 100nA (ICBO) 70 @ 10mA, 5V 800 mW 120MHz 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92MOD
2SC2229-O(TE6,F,M)

2SC2229-O(TE6,F,M)

TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD

Toshiba Semiconductor and Storage

9,592 -
RFQ
2SC2229-O(TE6,F,M)

Datenblatt

- TO-226-3, TO-92-3 Long Body Bulk Obsolete NPN 50 mA 150 V 500mV @ 1mA, 10mA 100nA (ICBO) 70 @ 10mA, 5V 800 mW 120MHz 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92MOD
2SC2229-Y(MIT,F,M)

2SC2229-Y(MIT,F,M)

TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD

Toshiba Semiconductor and Storage

2,057 -
RFQ
2SC2229-Y(MIT,F,M)

Datenblatt

- TO-226-3, TO-92-3 Long Body Bulk Obsolete NPN 50 mA 150 V 500mV @ 1mA, 10mA 100nA (ICBO) 70 @ 10mA, 5V 800 mW 120MHz 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92MOD
2SC2229-Y(MIT1,F,M

2SC2229-Y(MIT1,F,M

TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD

Toshiba Semiconductor and Storage

3,511 -
RFQ
2SC2229-Y(MIT1,F,M

Datenblatt

- TO-226-3, TO-92-3 Long Body Bulk Obsolete NPN 50 mA 150 V 500mV @ 1mA, 10mA 100nA (ICBO) 70 @ 10mA, 5V 800 mW 120MHz 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92MOD
2SC2229-Y(SAN2,F,M

2SC2229-Y(SAN2,F,M

TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD

Toshiba Semiconductor and Storage

9,385 -
RFQ
2SC2229-Y(SAN2,F,M

Datenblatt

- TO-226-3, TO-92-3 Long Body Bulk Obsolete NPN 50 mA 150 V 500mV @ 1mA, 10mA 100nA (ICBO) 70 @ 10mA, 5V 800 mW 120MHz 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92MOD
2SC2229-Y(SHP,F,M)

2SC2229-Y(SHP,F,M)

TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD

Toshiba Semiconductor and Storage

2,392 -
RFQ
2SC2229-Y(SHP,F,M)

Datenblatt

- TO-226-3, TO-92-3 Long Body Bulk Obsolete NPN 50 mA 150 V 500mV @ 1mA, 10mA 100nA (ICBO) 70 @ 10mA, 5V 800 mW 120MHz 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92MOD
2SC2229-Y(T6MIT1FM

2SC2229-Y(T6MIT1FM

TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD

Toshiba Semiconductor and Storage

5,804 -
RFQ
2SC2229-Y(T6MIT1FM

Datenblatt

- TO-226-3, TO-92-3 Long Body Bulk Obsolete NPN 50 mA 150 V 500mV @ 1mA, 10mA 100nA (ICBO) 70 @ 10mA, 5V 800 mW 120MHz 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92MOD
2SC2229-Y(T6MITIFM

2SC2229-Y(T6MITIFM

TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD

Toshiba Semiconductor and Storage

3,843 -
RFQ
2SC2229-Y(T6MITIFM

Datenblatt

- TO-226-3, TO-92-3 Long Body Bulk Obsolete NPN 50 mA 150 V 500mV @ 1mA, 10mA 100nA (ICBO) 70 @ 10mA, 5V 800 mW 120MHz 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92MOD
2SC2229-Y(T6ONK1FM

2SC2229-Y(T6ONK1FM

TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD

Toshiba Semiconductor and Storage

7,807 -
RFQ
2SC2229-Y(T6ONK1FM

Datenblatt

- TO-226-3, TO-92-3 Long Body Bulk Obsolete NPN 50 mA 150 V 500mV @ 1mA, 10mA 100nA (ICBO) 70 @ 10mA, 5V 800 mW 120MHz 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92MOD
2SC2229-Y(TE6,F,M)

2SC2229-Y(TE6,F,M)

TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD

Toshiba Semiconductor and Storage

9,504 -
RFQ
2SC2229-Y(TE6,F,M)

Datenblatt

- TO-226-3, TO-92-3 Long Body Bulk Obsolete NPN 50 mA 150 V 500mV @ 1mA, 10mA 100nA (ICBO) 70 @ 10mA, 5V 800 mW 120MHz 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92MOD
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