onsemi SGH10N60RUFDTU

SGH10N60RUFDTU Supplier & Distributor

SGH10N60RUFDTU is an electronic component from onsemi. TomatoElec is an in-stock independent distributor supporting original component sourcing, inventory checks and BOM purchasing needs.

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  • In-stock inventory checking
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  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
SGH10N60RUFDTU
Hersteller:
onsemi
Kategorie:
Einzel-IGBTs
Gehäuse:
TO-3P-3, SC-65-3
Datenblatt:
TomatoElecSGH10N60RUFDTU.pdf
Beschreibung:
IGBT 600V 16A 75W TO3P
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About SGH10N60RUFDTU

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SGH10N60RUFDTU Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
onsemi
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
TO-3P-3, SC-65-3
Verpackung:
Tube
Produktstatus:
Obsolete
IGBT-Typ:
-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
600 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max):
16 A
Strom - Kollektor gepulst (Icm):
30 A
Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic:
2.8V @ 15V, 10A
Leistung – Max:
75 W
Schaltenergie:
141µJ (on), 215µJ (off)
Eingabetyp:
Standard
Gate-Ladung:
30 nC
Td (ein/aus) @ 25°C:
15ns/36ns
Testbedingung:
300V, 10A, 20Ohm, 15V
Sperrerholungszeit (trr):
60 ns
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Through Hole
Lieferant Gerätepaket:
TO-3PN
Kategorie:
Einzel-IGBTs
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Teilenr. SGH10N60RUFDTU
Hersteller onsemi
Serie -
Verpackung/Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3
Verpackung Tube
Produktstatus Obsolete
IGBT-Typ -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) 600 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 16 A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) 30 A
Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 10A
Leistung – Max 75 W
Schaltenergie 141µJ (on), 215µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate-Ladung 30 nC
Td (ein/aus) @ 25°C 15ns/36ns
Testbedingung 300V, 10A, 20Ohm, 15V
Sperrerholungszeit (trr) 60 ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Through Hole
Lieferant Gerätepaket TO-3PN

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