onsemi HGTD1N120BNS9A

HGTD1N120BNS9A Supplier & Distributor

HGTD1N120BNS9A is an electronic component manufactured by onsemi. We are a professional electronic components supplier providing original parts with large stock available in Shenzhen Huaqiangbei.

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Teilenr.:
HGTD1N120BNS9A
Hersteller:
onsemi
Kategorie:
Einzel-IGBTs
Gehäuse:
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt:
TomatoElecHGTD1N120BNS9A.pdf
Beschreibung:
IGBT NPT 1200V 5.3A TO252AA
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HGTD1N120BNS9A Spezifikationen

  • Spezifikationen
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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
onsemi
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
IGBT-Typ:
NPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max):
5.3 A
Strom - Kollektor gepulst (Icm):
6 A
Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic:
2.9V @ 15V, 1A
Leistung – Max:
60 W
Schaltenergie:
70µJ (on), 90µJ (off)
Eingabetyp:
Standard
Gate-Ladung:
14 nC
Td (ein/aus) @ 25°C:
15ns/67ns
Testbedingung:
960V, 1A, 82Ohm, 15V
Sperrerholungszeit (trr):
-
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
TO-252AA
Kategorie:
Einzel-IGBTs
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Hersteller onsemi
Serie -
Verpackung/Gehäuse TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Verpackung Tape & Reel (TR)
Produktstatus Active
IGBT-Typ NPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) 1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 5.3 A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) 6 A
Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 1A
Leistung – Max 60 W
Schaltenergie 70µJ (on), 90µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate-Ladung 14 nC
Td (ein/aus) @ 25°C 15ns/67ns
Testbedingung 960V, 1A, 82Ohm, 15V
Sperrerholungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket TO-252AA

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