Renesas Electronics Corporation RJP65T54DPM-E0#T2

RJP65T54DPM-E0#T2 Supplier & Distributor

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RJP65T54DPM-E0#T2
Hersteller:
Renesas Electronics Corporation
Kategorie:
Einzel-IGBTs
Gehäuse:
TO-3PFM, SC-93-3
Beschreibung:
IGBT TRENCH TO-3FP
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RJP65T54DPM-E0#T2 Spezifikationen

  • Spezifikationen
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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
TO-3PFM, SC-93-3
Verpackung:
Tube
Produktstatus:
Obsolete
IGBT-Typ:
Trench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
650 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max):
60 A
Strom - Kollektor gepulst (Icm):
225 A
Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic:
1.68V @ 15V, 30A
Leistung – Max:
63.5 W
Schaltenergie:
330µJ (on), 760µJ (off)
Eingabetyp:
Standard
Gate-Ladung:
72 nC
Td (ein/aus) @ 25°C:
35ns/120ns
Testbedingung:
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Sperrerholungszeit (trr):
-
Betriebstemperatur:
175°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Through Hole
Lieferant Gerätepaket:
TO-3PF
Kategorie:
Einzel-IGBTs
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Hersteller Renesas Electronics Corporation Renesas Electronics Corporation
Serie - -
Verpackung/Gehäuse SC-94 TO-3PFM, SC-93-3
Verpackung Tube Tube
Produktstatus Active Obsolete
IGBT-Typ Trench Trench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) 650 V 650 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 60 A 60 A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) - 225 A
Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic 1.68V @ 15V, 30A 1.68V @ 15V, 30A
Leistung – Max 63.5 W 63.5 W
Schaltenergie 330µJ (on), 760µJ (off) 330µJ (on), 760µJ (off)
Eingabetyp Standard Standard
Gate-Ladung 72 nC 72 nC
Td (ein/aus) @ 25°C 35ns/120ns 35ns/120ns
Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Sperrerholungszeit (trr) - -
Betriebstemperatur 175°C (TJ) 175°C (TJ)
Klasse - -
Qualifizierung - -
Montageart Through Hole Through Hole
Lieferant Gerätepaket TO-3PFP TO-3PF

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