Nexperia USA Inc. PSMN2R0-55YLHX

PSMN2R0-55YLHX Supplier & Distributor

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  • In-stock inventory checking
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  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
PSMN2R0-55YLHX
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Kategorie:
FETs, MOSFETs
Gehäuse:
SOT-1023, 4-LFPAK
Datenblatt:
TomatoElecPSMN2R0-55YLHX.pdf
Beschreibung:
PSMN2R0-55YLH/SOT1023/4 LEADS
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PSMN2R0-55YLHX Spezifikationen

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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Nexperia USA Inc.
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
SOT-1023, 4-LFPAK
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
FET-Typ:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
55 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
200A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein):
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
2.1mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.2V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
184 nC @ 10 V
Vgs (Max):
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
11353 pF @ 27 V
FET-Funktion:
-
Leistungsverlust (Max):
333W (Tc)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
LFPAK56, Power-SO8
Kategorie:
FETs, MOSFETs
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Hersteller Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.
Serie - - TrenchMOS™ - -
Verpackung/Gehäuse SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) SC-100, SOT-669 SC-100, SOT-669 SC-100, SOT-669 SC-100, SOT-669
Verpackung Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Produktstatus Active Active Not For New Designs Active Active
FET-Typ N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V 30 V 30 V 30 V 25 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 70A (Tc) 100A (Tc) 100A (Tc) 100A (Tc) 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 2.27mOhm @ 25A, 10V 2mOhm @ 25A, 10V 2mOhm @ 15A, 10V 2mOhm @ 25A, 10V 2.09mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 1mA 2.2V @ 1mA 2.15V @ 1mA 2.15V @ 1mA 2.2V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 34.4 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 64 nC @ 10 V 87 nC @ 10 V 34.1 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2490 pF @ 12 V 2969 pF @ 15 V 3980 pF @ 12 V 5217 pF @ 15 V 2485 pF @ 12 V
FET-Funktion Schottky Diode (Body) - - - Schottky Diode (Body)
Leistungsverlust (Max) 74W (Tc) 142W (Tc) 97W (Tc) 272W (Tc) 115W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Klasse - - - - -
Qualifizierung - - - - -
Montageart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Lieferant Gerätepaket LFPAK33 LFPAK56, Power-SO8 LFPAK56, Power-SO8 LFPAK56, Power-SO8 LFPAK56, Power-SO8

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