IXYS IXBH42N170

IXBH42N170 Supplier & Distributor

IXBH42N170 is an electronic component from IXYS. TomatoElec is an in-stock independent distributor supporting original component sourcing, inventory checks and BOM purchasing needs.

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  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
IXBH42N170
Hersteller:
IXYS
Kategorie:
Einzel-IGBTs
Gehäuse:
TO-247-3
Datenblatt:
TomatoElecIXBH42N170.pdf
Beschreibung:
IGBT 1700V 80A TO247AD
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IXBH42N170 Spezifikationen

  • Spezifikationen
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  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
IXYS
Serie:
BIMOSFET™
Verpackung/Gehäuse:
TO-247-3
Verpackung:
Tube
Produktstatus:
Active
IGBT-Typ:
-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
1700 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max):
80 A
Strom - Kollektor gepulst (Icm):
300 A
Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic:
2.8V @ 15V, 42A
Leistung – Max:
360 W
Schaltenergie:
-
Eingabetyp:
Standard
Gate-Ladung:
188 nC
Td (ein/aus) @ 25°C:
-
Testbedingung:
-
Sperrerholungszeit (trr):
1.32 µs
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Through Hole
Lieferant Gerätepaket:
TO-247AD
Kategorie:
Einzel-IGBTs
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Teilenr. IXBH42N170 IXBH42N170A
Hersteller IXYS IXYS
Serie BIMOSFET™ BIMOSFET™
Verpackung/Gehäuse TO-247-3 TO-247-3
Verpackung Tube Tube
Produktstatus Active Active
IGBT-Typ - -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) 1700 V 1700 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 80 A 42 A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300 A 265 A
Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 42A 6V @ 15V, 21A
Leistung – Max 360 W 357 W
Schaltenergie - 3.43mJ (on), 430µJ (off)
Eingabetyp Standard Standard
Gate-Ladung 188 nC 188 nC
Td (ein/aus) @ 25°C - 19ns/200ns
Testbedingung - 850V, 21A, 1Ohm, 15V
Sperrerholungszeit (trr) 1.32 µs 330 ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse - -
Qualifizierung - -
Montageart Through Hole Through Hole
Lieferant Gerätepaket TO-247AD TO-247AD

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