Infineon Technologies IKN01N60RC2ATMA1

IKN01N60RC2ATMA1 Supplier & Distributor

IKN01N60RC2ATMA1 is an electronic component from Infineon Technologies. TomatoElec is an in-stock independent distributor supporting original component sourcing, inventory checks and BOM purchasing needs.

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  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
IKN01N60RC2ATMA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Kategorie:
Einzel-IGBTs
Gehäuse:
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt:
TomatoElecIKN01N60RC2ATMA1.pdf
Beschreibung:
IGBT 600V 2.2A SOT223-3
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IKN01N60RC2ATMA1 Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Infineon Technologies
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
TO-261-4, TO-261AA
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
IGBT-Typ:
-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
600 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max):
2.2 A
Strom - Kollektor gepulst (Icm):
3 A
Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic:
2.3V @ 15V, 1A
Leistung – Max:
5.1 W
Schaltenergie:
25.1µJ (on), 13.5µJ (off)
Eingabetyp:
Standard
Gate-Ladung:
9 nC
Td (ein/aus) @ 25°C:
5.6ns/80ns
Testbedingung:
400V, 1A, 49Ohm, 15V
Sperrerholungszeit (trr):
59.5 ns
Betriebstemperatur:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
PG-SOT223-3
Kategorie:
Einzel-IGBTs
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Teilenr. IKN01N60RC2ATMA1
Hersteller Infineon Technologies
Serie -
Verpackung/Gehäuse TO-261-4, TO-261AA
Verpackung Tape & Reel (TR)
Produktstatus Active
IGBT-Typ -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) 600 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 2.2 A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) 3 A
Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 1A
Leistung – Max 5.1 W
Schaltenergie 25.1µJ (on), 13.5µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate-Ladung 9 nC
Td (ein/aus) @ 25°C 5.6ns/80ns
Testbedingung 400V, 1A, 49Ohm, 15V
Sperrerholungszeit (trr) 59.5 ns
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket PG-SOT223-3

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