GeneSiC Semiconductor GA35XCP12-247

GA35XCP12-247 Supplier & Distributor

GA35XCP12-247 is an electronic component from GeneSiC Semiconductor. TomatoElec is an in-stock independent distributor supporting original component sourcing, inventory checks and BOM purchasing needs.

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  • In-stock inventory checking
  • RFQ and availability confirmation
  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
GA35XCP12-247
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Kategorie:
Einzel-IGBTs
Gehäuse:
TO-247-3
Datenblatt:
TomatoElecGA35XCP12-247.pdf
Beschreibung:
IGBT 1200V SOT247
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GA35XCP12-247 Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
TO-247-3
Verpackung:
Tube
Produktstatus:
Obsolete
IGBT-Typ:
PT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max):
1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max):
-
Strom - Kollektor gepulst (Icm):
35 A
Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic:
3V @ 15V, 35A
Leistung – Max:
-
Schaltenergie:
2.66mJ (on), 4.35mJ (off)
Eingabetyp:
Standard
Gate-Ladung:
50 nC
Td (ein/aus) @ 25°C:
-
Testbedingung:
800V, 35A, 22Ohm, 15V
Sperrerholungszeit (trr):
36 ns
Betriebstemperatur:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Through Hole
Lieferant Gerätepaket:
TO-247AB
Kategorie:
Einzel-IGBTs
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Teilenr. GA35XCP12-247
Hersteller GeneSiC Semiconductor
Serie -
Verpackung/Gehäuse TO-247-3
Verpackung Tube
Produktstatus Obsolete
IGBT-Typ PT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max) 1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max) -
Strom - Kollektor gepulst (Icm) 35 A
Vce(ein) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 35A
Leistung – Max -
Schaltenergie 2.66mJ (on), 4.35mJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate-Ladung 50 nC
Td (ein/aus) @ 25°C -
Testbedingung 800V, 35A, 22Ohm, 15V
Sperrerholungszeit (trr) 36 ns
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Through Hole
Lieferant Gerätepaket TO-247AB

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