Diodes Incorporated DMG1016UDWQ-7

DMG1016UDWQ-7 Supplier & Distributor

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DMG1016UDWQ-7
Hersteller:
Diodes Incorporated
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt:
TomatoElecDMG1016UDWQ-7.pdf
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 20V 1.066A SOT363
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DMG1016UDWQ-7 Spezifikationen

  • Spezifikationen
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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Diodes Incorporated
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Not For New Designs
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
N and P-Channel Complementary
FET-Funktion:
-
Drain-Source-Spannung (Vdss):
20V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
1.066A (Ta), 845mA (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id:
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
736.6nC @ 4.5V, 0.62nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
60.67pF @ 10V, 59.76pF @ 16V
Leistung – Max:
330mW (Ta)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
Automotive
Qualifizierung:
AEC-Q101
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
SOT-363
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Teilenr. DMG1016UDWQ-7
Hersteller Diodes Incorporated
Serie -
Verpackung/Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Verpackung Tape & Reel (TR)
Produktstatus Not For New Designs
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration N and P-Channel Complementary
FET-Funktion -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 1.066A (Ta), 845mA (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 736.6nC @ 4.5V, 0.62nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 60.67pF @ 10V, 59.76pF @ 16V
Leistung – Max 330mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse Automotive
Qualifizierung AEC-Q101
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket SOT-363

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