Diodes Incorporated DMG6601LVT-7

DMG6601LVT-7 Supplier & Distributor

DMG6601LVT-7 is an electronic component manufactured by Diodes Incorporated. We are a professional electronic components supplier providing original parts with large stock available in Shenzhen Huaqiangbei.

We supply DMG6601LVT-7 with competitive pricing, fast global delivery and reliable sourcing services for OEM, EMS and electronic trading companies.

  • Original and genuine components
  • Large stock inventory available
  • Fast worldwide shipping
  • Support for bulk orders
Teilenr.:
DMG6601LVT-7
Hersteller:
Diodes Incorporated
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datenblatt:
TomatoElecDMG6601LVT-7.pdf
Beschreibung:
DMG6601LVT-7 is an original DIODES electronic component supported by TomatoElec for in-stock sourcing, RFQ handling and BOM purchasing needs. The listed package is SOT23-6.
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About DMG6601LVT-7

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Produktdetails

DMG6601LVT-7 - DIODES SOT23-6 elektronisches Bauteil

DMG6601LVT-7 ist ein originales elektronisches Bauteil von DIODES, das TomatoElec für Lagerbestandsprüfung, RFQ-Anfragen und BOM-Beschaffung unterstützt. Mit SOT23-6 als gelistetem Gehäuse und einer Bestandsreferenz von 60000 eignet sich diese Seite für schnelle Verfügbarkeitsprüfung und Beschaffungsplanung.

Part NumberDMG6601LVT-7
MarkeDIODES
GehäuseSOT23-6
Bestandsreferenz60000

Hinweis: Prüfen Sie vor der Produktionsfreigabe das aktuelle Datenblatt, Gehäusezeichnung, elektrische Grenzwerte, Lifecycle-Status, AVL und die Anforderungen Ihrer Anwendung.

Komponentenübersicht

DMG6601LVT-7 von DIODES ist bei TomatoElec als verfügbares elektronisches Bauteil für Engineering-, Einkaufs- und BOM-Teams gelistet. Die Seite hilft bei der schnellen Prüfung von Teilenummer, Gehäuse, Lagerbestand und Beschaffungsweg vor einer RFQ-Anfrage.

TomatoElec ist ein unabhängiger Distributor elektronischer Komponenten und unterstützt Lagerprüfung, Angebotserstellung, Sourcing und BOM-Beschaffung für Originalbauteile.

Wichtige Spezifikationen

Part NumberDMG6601LVT-7
Hersteller / MarkeDIODES
GehäuseSOT23-6
Bestandsreferenz60000
ProdukttypElektronisches Bauteil
BeschaffungIn-Stock-Sourcing, RFQ und BOM-Unterstützung

Anwendungen

  • Produktionsnachschub und Engpassbeschaffung
  • Engineering-Muster, Reparatur und Ersatzbedarf
  • BOM-Einkauf und mehrzeilige Komponentenbeschaffung
  • Industrie-, Kommunikations-, Embedded- und Consumer-Electronics-Projekte

TomatoElec Beschaffungsservice

Für DMG6601LVT-7 unterstützt TomatoElec Bestandsprüfung, RFQ-Bearbeitung, Sourcing-Kanalprüfung und Versandkoordination. Die technische Eignung sollte immer anhand des offiziellen Datenblatts und Ihrer internen Freigabe geprüft werden.

DMG6601LVT-7 FAQ

Kann TomatoElec DMG6601LVT-7 beschaffen?

Ja. TomatoElec kann Lagerbestand prüfen, Angebotsdetails vorbereiten und BOM-Sourcing für DMG6601LVT-7 und verwandte Komponenten unterstützen.

Sollte das Datenblatt vor der Bestellung geprüft werden?

Ja. Bitte prüfen Sie Gehäuse, elektrische Parameter, Lifecycle-Status und Anwendungseignung anhand des aktuellen Herstellerdatenblatts und Ihrer freigegebenen BOM.

DMG6601LVT-7 Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Diodes Incorporated
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
N and P-Channel
FET-Funktion:
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss):
30V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
3.8A, 2.5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
55mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
12.3nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
422pF @ 15V
Leistung – Max:
850mW
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
TSOT-26
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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1. Wie kann ich DMG6601LVT-7 bei Hongkong Tomato Electronics Co., Ltd., bestellen?

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Teilenr. DMG6601LVT-7
Hersteller Diodes Incorporated
Serie -
Verpackung/Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Verpackung Tape & Reel (TR)
Produktstatus Active
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 3.8A, 2.5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 12.3nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 422pF @ 15V
Leistung – Max 850mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket TSOT-26

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