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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    PMN40UPEA115

    PMN40UPEA115

    P-CHANNEL MOSFET

    NXP USA Inc.

    		 2,407 -
    RFQ
    		PMN40UPEA115

    Datenblatt

         		- SC-74, SOT-457 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.7A (Ta) 1.8V, 4.5V 43mOhm @ 3A, 4.5V 950mV @ 250µA 23 nC @ 4.5 V ±8V 1820 pF @ 10 V - 500mW (Ta), 8.33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-TSOP
    PMV65XPEA215

    PMV65XPEA215

    P-CHANNEL MOSFET

    NXP USA Inc.

    		 2,701 -
    RFQ
    		PMV65XPEA215

    Datenblatt

         		- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2.8A (Ta) 2.5V, 4.5V 78mOhm @ 2.8A, 4.5V 1.25V @ 250µA 9 nC @ 4.5 V ±12V 618 pF @ 10 V - 480mW (Ta), 6.25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-236AB
    PMV50XP215

    PMV50XP215

    P-CHANNEL MOSFET

    NXP USA Inc.

    		 4,287 -
    RFQ
    		PMV50XP215

    Datenblatt

         		- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 3.6A (Ta) 1.5V, 4.5V 60mOhm @ 3.6A, 4.5V 900mV @ 250µA 12 nC @ 4.5 V ±12V 744 pF @ 20 V - 490mW (Ta), 4.63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-236AB
    SSR4N60BTF

    SSR4N60BTF

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    		 3,332 -
    RFQ
    		SSR4N60BTF

    Datenblatt

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 2.8A (Tc) 10V 2.5Ohm @ 1.4A, 10V 4V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±30V 920 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 49W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    BSS84AKW-B115

    BSS84AKW-B115

    MOSFET P-CH

    NXP USA Inc.

    		 9,798 -
    RFQ
    		BSS84AKW-B115

    Datenblatt

         		- SC-70, SOT-323 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 150mA (Ta) 5V, 10V 7.5Ohm @ 100mA, 10V 2.1V @ 250µA 0.35 nC @ 5 V ±20V 36 pF @ 25 V - 260mW (Ta), 830mW (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount SC-70
    SFS9Z14

    SFS9Z14

    P-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    		 4,997 -
    RFQ
    		SFS9Z14

    Datenblatt

         		- TO-220-3 Full Pack Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 5.3A (Tc) 10V 500mOhm @ 2.7A, 10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±30V 350 pF @ 25 V - 24W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
    RFM12P08

    RFM12P08

    P-CHANNEL POWER MOSFET

    Harris Corporation

    		 9,592 -
    RFQ
    		RFM12P08

    Datenblatt

         		- TO-204AA, TO-3 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 12A (Tc) 10V 300mOhm @ 6A, 10V 4V @ 1mA - ±20V 1500 pF @ 25 V - 100W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3
    PMZB600UNE315

    PMZB600UNE315

    SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

    NXP USA Inc.

    		 6,968 -
    RFQ
    		PMZB600UNE315

    Datenblatt

         		- SC-101, SOT-883 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 600mA (Ta) 1.2V, 4.5V 620mOhm @ 600mA, 4.5V 950mV @ 250µA 0.7 nC @ 4.5 V ±8V 21.3 pF @ 10 V - 360mW (Ta), 2.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DFN1006B-3
    PMZB200UNE315

    PMZB200UNE315

    SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

    NXP USA Inc.

    		 4,063 -
    RFQ
    		PMZB200UNE315

    Datenblatt

         		- SC-101, SOT-883 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 1.4A (Ta) 1.5V, 4.5V 250mOhm @ 1.4A, 4.5V 950mV @ 250µA 2.7 nC @ 4.5 V ±8V 89 pF @ 15 V - 350mW (Ta), 6.25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DFN1006B-3
    2SJ199-T2-AZ

    2SJ199-T2-AZ

    P-CHANNEL POWER MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 5,412 -
    RFQ
    		2SJ199-T2-AZ

    Datenblatt

         		- TO-243AA Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 1A (Ta) 4V, 10V 2Ohm @ 500mA, 10V 3V @ 1mA - ±20V 220 pF @ 10 V - 2W (Ta) 150°C - - Surface Mount SC-62
    AONS66400

    AONS66400

    MOSFET N-CH 40V 5X6 DFN

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 4,874 -
    RFQ

    -

    		 - - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    AONS66450

    AONS66450

    MOSFET N-CH 40V 5X6 DFN

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 6,132 -
    RFQ

    -

    		 - - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IRFC3205B

    IRFC3205B

    MOSFET 55V 110A DIE

    Infineon Technologies

    		 6,038 -
    RFQ

    -

    		 HEXFET® Die Bulk Obsolete - MOSFET (Metal Oxide) 55 V 110A - 8mOhm @ 110A, 10V - - - - - - - - - Surface Mount Die
    IRFC3415B

    IRFC3415B

    MOSFET 150V 43A DIE

    Infineon Technologies

    		 9,797 -
    RFQ

    -

    		 HEXFET® Die Bulk Obsolete - MOSFET (Metal Oxide) 150 V 43A 10V 42mOhm @ 43A, 10V - - - - - - - - - Surface Mount Die
    IRF6217TRPBF-1

    IRF6217TRPBF-1

    MOSFET P-CH 150V 700MA 8SO

    Infineon Technologies

    		 4,871 -
    RFQ
    		IRF6217TRPBF-1

    Datenblatt

         		HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 700mA (Ta) 10V 2.4Ohm @ 420mA, 10V 5V @ 250µA 9 nC @ 10 V ±20V 150 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRFC9130NB

    IRFC9130NB

    MOSFET 100V 14A DIE

    Infineon Technologies

    		 8,966 -
    RFQ

    -

    		 HEXFET® Die Bulk Obsolete - MOSFET (Metal Oxide) 100 V 14A 10V 200mOhm @ 14A, 10V - - - - - - - - - Surface Mount Die
    IRFC7416B

    IRFC7416B

    MOSFET 30V 10A DIE

    Infineon Technologies

    		 4,217 -
    RFQ

    -

    		 HEXFET® Die Bulk Obsolete - MOSFET (Metal Oxide) 30 V 10A 10V 20mOhm @ 10A, 10V - - - - - - - - - Surface Mount Die
    IRLC024NB

    IRLC024NB

    MOSFET 55V 17A DIE

    Infineon Technologies

    		 8,186 -
    RFQ

    -

    		 HEXFET® Die Bulk Obsolete - MOSFET (Metal Oxide) 55 V 17A 10V 65mOhm @ 17A, 10V - - - - - - - - - Surface Mount Die
    IRFC240NB

    IRFC240NB

    MOSFET 200V DIE

    Infineon Technologies

    		 2,279 -
    RFQ

    -

    		 HEXFET® Die Bulk Obsolete - MOSFET (Metal Oxide) 200 V - - - - - - - - - - - - Surface Mount Die
    IRFC9024NB

    IRFC9024NB

    MOSFET 55V 11A DIE

    Infineon Technologies

    		 8,839 -
    RFQ

    -

    		 HEXFET® Die Bulk Obsolete - MOSFET (Metal Oxide) 55 V 11A 10V 175mOhm @ 11A, 10V - - - - - - - - - Surface Mount Die
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