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    TomatoElec

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    FETs, MOSFETs

    Hersteller Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket

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    FETs und MOSFETs

    TomatoElec liefert FETs und MOSFETs für Industrie, Automotive, Leistungssteuerung, Motorantriebe und allgemeine Elektronikanwendungen. Unsere Beschaffungsunterstützung umfasst Feldeffekttransistoren, Leistungs-MOSFETs und weitere häufig verwendete Halbleiterprodukte für Schalt- und Steuerungsanwendungen.

    Wir unterstützen flexible RFQ-Services für die Beschaffung von FETs und MOSFETs und helfen Kunden, ihre Einkaufseffizienz für reguläre Bedarfe, dringende Anforderungen und ausgewählte schwer beschaffbare Teile zu verbessern.

    Mit Zugang zu mehreren Versorgungskanälen möchte TomatoElec Kunden zuverlässige Unterstützung bei der Beschaffung von FETs und MOSFETs, schnelle Angebotsabgabe und weltweite Lieferung bieten.

    Foto Hersteller-Teilenr. Verfügbarkeit Preis Menge Datenblatt Serie Verpackung/Gehäuse Verpackung Produktstatus FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) Rds Ein (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds FET-Funktion Leistungsverlust (Max) Betriebstemperatur Klasse Qualifizierung Montageart Lieferant Gerätepaket
    SQD30N05-20L_T4GE3

    SQD30N05-20L_T4GE3

    MOSFET N-CH 55V 30A TO252AA

    Vishay Siliconix

    		 8,826 -
    RFQ
    		SQD30N05-20L_T4GE3

    Datenblatt

         		TrenchFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 30A (Tc) 4.5V, 10V 20mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 18 nC @ 5 V ±20V 1175 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252AA
    SQD100N02_3M5L4GE3

    SQD100N02_3M5L4GE3

    MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA

    Vishay Siliconix

    		 7,926 -
    RFQ
    		SQD100N02_3M5L4GE3

    Datenblatt

         		TrenchFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 3.5mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 5500 pF @ 10 V - 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252AA
    TP65H150LSG

    TP65H150LSG

    GANFET N-CH 650V 15A 3PQFN

    Transphorm

    		 3,151 -
    RFQ
    		TP65H150LSG

    Datenblatt

         		- 3-PowerDFN Tube Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 650 V 15A (Tc) 10V 180mOhm @ 10A, 10V 4.8V @ 500µA 7.1 nC @ 10 V ±20V 576 pF @ 400 V - 69W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 3-PQFN (8x8)
    MSJW20N65-BP

    MSJW20N65-BP

    MOSFET N-CH TO247

    Micro Commercial Co

    		 5,977 -
    RFQ
    		MSJW20N65-BP

    Datenblatt

         		- TO-247-3 Tube Obsolete - - - 20A (Tc) - - - - ±30V - - - - - - Through Hole TO-247-3
    NVD360N65S3

    NVD360N65S3

    MOSFET N-CH 600V DPAK

    onsemi

    		 2,432 -
    RFQ

    -

    		 - - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - Automotive AEC-Q101 - -
    BSC0804LSATMA1

    BSC0804LSATMA1

    MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8-6

    Infineon Technologies

    		 8,230 -
    RFQ
    		BSC0804LSATMA1

    Datenblatt

         		OptiMOS™ 5 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 40A (Tc) 4.5V, 10V 9.6mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 36µA 14.6 nC @ 4.5 V ±20V 2100 pF @ 50 V - 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8-6
    BSC014N06LS5ATMA1

    BSC014N06LS5ATMA1

    MOSFET 60V TDSON-8-7

    Infineon Technologies

    		 7,855 -
    RFQ

    -

    		 OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active - MOSFET (Metal Oxide) 60 V - - - - - - - - - - - - Surface Mount PG-TDSON-8-7
    IRFP450PBF

    IRFP450PBF

    MOSFET N-CH 500V 14A TO247AC

    Infineon Technologies

    		 4,587 -
    RFQ

    -

    		 - TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 14A (Tc) 10V 400mOhm @ 8.4A, 10V 4V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V 2600 pF @ 25 V - 190W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    FDZ372NZ

    FDZ372NZ

    MOSFET N-CH 20V 4.7A 4WLCSP

    Fairchild Semiconductor

    		 5,368 -
    RFQ
    		FDZ372NZ

    Datenblatt

         		PowerTrench® 4-XFBGA, WLCSP Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.7A (Ta) - 50mOhm @ 2A, 4.5V 1V @ 250µA 9.8 nC @ 4.5 V - 685 pF @ 10 V - 1.7W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-WLCSP (1x1)
    IRF8113GPBF

    IRF8113GPBF

    MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO

    International Rectifier

    		 3,080 -
    RFQ
    		IRF8113GPBF

    Datenblatt

         		HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 17.2A (Ta) 4.5V, 10V 5.6mOhm @ 17.2A, 10V 2.2V @ 250µA 36 nC @ 4.5 V ±20V 2910 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    FQP16N25C

    FQP16N25C

    MOSFET N-CH 250V 15.6A TO220-3

    Fairchild Semiconductor

    		 5,299 -
    RFQ
    		FQP16N25C

    Datenblatt

         		QFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 15.6A (Tc) 10V 270mOhm @ 7.8A, 10V 4V @ 250µA 53.5 nC @ 10 V ±30V 1080 pF @ 25 V - 139W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    IRF530

    IRF530

    MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB

    onsemi

    		 7,253 -
    RFQ
    		IRF530

    Datenblatt

         		- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 14A (Tc) 10V 160mOhm @ 8.4A, 10V 4V @ 250µA 26 nC @ 10 V ±20V 670 pF @ 25 V - 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    FDG326P

    FDG326P

    MOSFET P-CH 20V 1.5A SC88

    Fairchild Semiconductor

    		 2,368 -
    RFQ
    		FDG326P

    Datenblatt

         		PowerTrench® 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 1.5A (Ta) 1.8V, 4.5V 140mOhm @ 1.5A, 4.5V 1.5V @ 250µA 7 nC @ 4.5 V ±8V 467 pF @ 10 V - 750mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
    FDC633N

    FDC633N

    MOSFET N-CH 30V 5.2A SUPERSOT6

    Fairchild Semiconductor

    		 4,083 -
    RFQ
    		FDC633N

    Datenblatt

         		- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 5.2A (Ta) 2.5V, 4.5V 42mOhm @ 5.2A, 4.5V 1V @ 250µA 16 nC @ 4.5 V ±8V 538 pF @ 10 V - 1.6W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SuperSOT™-6
    FDH50N50

    FDH50N50

    MOSFET N-CH 500V 48A TO247-3

    Fairchild Semiconductor

    		 3,312 -
    RFQ
    		FDH50N50

    Datenblatt

         		UniFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 48A (Tc) 10V 105mOhm @ 24A, 10V 5V @ 250µA 137 nC @ 10 V ±30V 6460 pF @ 25 V - 625W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
    RFD16N05

    RFD16N05

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    		 2,312 -
    RFQ
    		RFD16N05

    Datenblatt

         		- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 16A (Tc) 10V 47mOhm @ 16A, 10V 4V @ 250µA 80 nC @ 20 V ±20V 900 pF @ 25 V - 72W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    V961-0007-E3

    V961-0007-E3

    MOSFET N-CH TO-247AC

    Vishay Siliconix

    		 7,624 -
    RFQ

    -

    		 * - Tube Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    AONT21313C

    AONT21313C

    MOSFET P-CH 30V 8A 6DFN

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 5,183 -
    RFQ
    		AONT21313C

    Datenblatt

         		- 6-UDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 8A (Ta) 4.5V, 10V 32mOhm @ 8A, 10V 2.3V @ 250µA 14.5 nC @ 10 V ±20V 530 pF @ 15 V - 2.8W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-DFN (2x2)
    R6520KNZC8

    R6520KNZC8

    MOSFET N-CH 650V 20A TO3

    Rohm Semiconductor

    		 9,045 -
    RFQ
    		R6520KNZC8

    Datenblatt

         		- TO-3P-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 20A (Tc) 10V 205mOhm @ 9.5A, 10V 5V @ 630µA 40 nC @ 10 V ±20V 1550 pF @ 25 V - 68W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
    R6050JNZC8

    R6050JNZC8

    MOSFET N-CH 600V 50A TO3

    Rohm Semiconductor

    		 3,675 -
    RFQ
    		R6050JNZC8

    Datenblatt

         		- TO-3P-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 50A (Tc) 15V 83mOhm @ 25A, 15V 7V @ 5mA 120 nC @ 15 V ±30V 4500 pF @ 100 V - 120W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
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