Renesas Electronics Corporation UPA2350T1P-E4-A

UPA2350T1P-E4-A Supplier & Distributor

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  • In-stock inventory checking
  • RFQ and availability confirmation
  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
UPA2350T1P-E4-A
Hersteller:
Renesas Electronics Corporation
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
4-XFBGA
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 6A LGA
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UPA2350T1P-E4-A Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
4-XFBGA
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Obsolete
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss):
20V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
6A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
35mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
8.6nC @ 4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
542pF @ 10V
Leistung – Max:
1.3W (Ta)
Betriebstemperatur:
150°C
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
4-EFLIP-LGA (1.62x1.62)
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Teilenr. UPA2350T1P-E4-A
Hersteller Renesas Electronics Corporation
Serie -
Verpackung/Gehäuse 4-XFBGA
Verpackung Tape & Reel (TR)
Produktstatus Obsolete
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 6A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 8.6nC @ 4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 542pF @ 10V
Leistung – Max 1.3W (Ta)
Betriebstemperatur 150°C
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket 4-EFLIP-LGA (1.62x1.62)

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