Qorvo UHB100SC12E1BC3N

UHB100SC12E1BC3N Supplier & Distributor

UHB100SC12E1BC3N is an electronic component from Qorvo. TomatoElec is an in-stock independent distributor supporting original component sourcing, inventory checks and BOM purchasing needs.

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  • In-stock inventory checking
  • RFQ and availability confirmation
  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
UHB100SC12E1BC3N
Hersteller:
Qorvo
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
Module
Datenblatt:
TomatoElecUHB100SC12E1BC3N.pdf
Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 1200V 100A MODULE
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UHB100SC12E1BC3N Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Qorvo
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
Module
Verpackung:
Bulk
Produktstatus:
Active
Technologie:
SiCFET (Silicon Carbide)
Konfiguration:
2 P-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion:
Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss):
1200V (1.2kV)
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
100A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
12mOhm @ 70A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id:
6V @ 40mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
170nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
5859pF @ 800V
Leistung – Max:
417W (Tc)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Chassis Mount
Lieferant Gerätepaket:
Module
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Teilenr. UHB100SC12E1BC3N
Hersteller Qorvo
Serie -
Verpackung/Gehäuse Module
Verpackung Bulk
Produktstatus Active
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Konfiguration 2 P-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V (1.2kV)
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 100A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 70A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id 6V @ 40mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5859pF @ 800V
Leistung – Max 417W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Chassis Mount
Lieferant Gerätepaket Module

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