Taiwan Semiconductor Corporation TSM6866SDCA

TSM6866SDCA Supplier & Distributor

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Teilenr.:
TSM6866SDCA
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 6A 8TSSOP
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TSM6866SDCA Spezifikationen

  • Spezifikationen
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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Taiwan Semiconductor Corporation
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Obsolete
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
2 N-Channel
FET-Funktion:
-
Drain-Source-Spannung (Vdss):
20V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
6A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
30mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id:
600mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
7nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
565pF @ 8V
Leistung – Max:
1.6W (Tc)
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
8-TSSOP
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Serie - -
Verpackung/Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Verpackung Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Produktstatus Obsolete Obsolete
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 N-Channel 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 6A (Ta) 6A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 4.5V 30mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 600mV @ 250µA 600mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 4.5V 5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 565pF @ 8V 565pF @ 8V
Leistung – Max 1.6W (Tc) 1.6W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse - -
Qualifizierung - -
Montageart Surface Mount Surface Mount
Lieferant Gerätepaket 8-TSSOP 8-TSSOP

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