Taiwan Semiconductor Corporation TSM3911DCX6 RFG

TSM3911DCX6 RFG Supplier & Distributor

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  • In-stock inventory checking
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  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
TSM3911DCX6 RFG
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
SOT-23-6
Datenblatt:
TomatoElecTSM3911DCX6 RFG.pdf
Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SOT26
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TSM3911DCX6 RFG Spezifikationen

  • Spezifikationen
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  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Taiwan Semiconductor Corporation
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
SOT-23-6
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Active
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion:
-
Drain-Source-Spannung (Vdss):
20V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
2.2A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
140mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id:
950mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
15.23nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
882.51pF @ 6V
Leistung – Max:
1.15W
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
SOT-26
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Teilenr. TSM3911DCX6 RFG
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
Serie -
Verpackung/Gehäuse SOT-23-6
Verpackung Tape & Reel (TR)
Produktstatus Active
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 2.2A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 15.23nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 882.51pF @ 6V
Leistung – Max 1.15W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket SOT-26

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