Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L16FETE85LF

SSM6L16FETE85LF Supplier & Distributor

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  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
SSM6L16FETE85LF
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
SOT-563, SOT-666
Datenblatt:
SSM6L16FETE85LF SSM6L16FETE85LF.pdf
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 20V 0.1A ES6
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SSM6L16FETE85LF Spezifikationen

  • Spezifikationen
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  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
SOT-563, SOT-666
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Not For New Designs
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
N and P-Channel
FET-Funktion:
-
Drain-Source-Spannung (Vdss):
20V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
100mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.1V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
9.3pF @ 3V
Leistung – Max:
150mW
Betriebstemperatur:
150°C (TA)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
ES6
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Teilenr. SSM6L16FETE85LF
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Serie -
Verpackung/Gehäuse SOT-563, SOT-666
Verpackung Tape & Reel (TR)
Produktstatus Not For New Designs
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration N and P-Channel
FET-Funktion -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 100mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9.3pF @ 3V
Leistung – Max 150mW
Betriebstemperatur 150°C (TA)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket ES6

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