Vishay Siliconix SQ4946EY-T1-E3

SQ4946EY-T1-E3 Supplier & Distributor

SQ4946EY-T1-E3 is an electronic component manufactured by Vishay Siliconix. We are a professional electronic components supplier providing original parts with large stock available in Shenzhen Huaqiangbei.

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Teilenr.:
SQ4946EY-T1-E3
Hersteller:
Vishay Siliconix
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt:
TomatoElecSQ4946EY-T1-E3.pdf
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOIC
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SQ4946EY-T1-E3 Spezifikationen

  • Spezifikationen
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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Vishay Siliconix
Serie:
TrenchFET®
Verpackung/Gehäuse:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Obsolete
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion:
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss):
60V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
4.5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
55mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
30nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
-
Leistung – Max:
2.4W
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klasse:
Automotive
Qualifizierung:
AEC-Q101
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
8-SOIC
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Teilenr. SQ4946EY-T1-E3
Hersteller Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Verpackung/Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Produktstatus Obsolete
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 4.5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Leistung – Max 2.4W
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Klasse Automotive
Qualifizierung AEC-Q101
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket 8-SOIC

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