Rohm Semiconductor SP8M6FU6TB

SP8M6FU6TB Supplier & Distributor

SP8M6FU6TB is an electronic component from Rohm Semiconductor. TomatoElec is an in-stock independent distributor supporting original component sourcing, inventory checks and BOM purchasing needs.

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  • In-stock inventory checking
  • RFQ and availability confirmation
  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
SP8M6FU6TB
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt:
TomatoElecSP8M6FU6TB.pdf
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A 8SOP
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SP8M6FU6TB Spezifikationen

  • Spezifikationen
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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Rohm Semiconductor
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Obsolete
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
N and P-Channel
FET-Funktion:
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss):
30V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
5A, 3.5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
51mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
3.9nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
230pF @ 10V
Leistung – Max:
2W
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
8-SOP
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Teilenr. SP8M6FU6TB
Hersteller Rohm Semiconductor
Serie -
Verpackung/Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Produktstatus Obsolete
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 5A, 3.5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 51mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 3.9nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 230pF @ 10V
Leistung – Max 2W
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket 8-SOP

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