Sanken Electric USA Inc. SMA5127

SMA5127 Supplier & Distributor

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  • Original component sourcing support
  • In-stock inventory checking
  • RFQ and availability confirmation
  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
SMA5127
Hersteller:
Sanken Electric USA Inc.
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
12-SIP
Datenblatt:
TomatoElecSMA5127.pdf
Beschreibung:
MOSFET 3N/3P-CH 60V 4A 12SIP
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SMA5127 Spezifikationen

  • Spezifikationen
  • FAQ
  • Beiträge
Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Sanken Electric USA Inc.
Serie:
-
Verpackung/Gehäuse:
12-SIP
Verpackung:
Tube
Produktstatus:
Active
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FET-Funktion:
-
Drain-Source-Spannung (Vdss):
60V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
4A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
550mOhm @ 2A, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id:
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
150pF @ 10V, 320pF @ 10V
Leistung – Max:
4W
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Through Hole
Lieferant Gerätepaket:
12-SIP
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Teilenr. SMA5127
Hersteller Sanken Electric USA Inc.
Serie -
Verpackung/Gehäuse 12-SIP
Verpackung Tube
Produktstatus Active
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FET-Funktion -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 4A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 2A, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 10V, 320pF @ 10V
Leistung – Max 4W
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Through Hole
Lieferant Gerätepaket 12-SIP

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