Vishay Siliconix SIB914DK-T1-GE3

SIB914DK-T1-GE3 Supplier & Distributor

SIB914DK-T1-GE3 is an electronic component from Vishay Siliconix. TomatoElec is an in-stock independent distributor supporting original component sourcing, inventory checks and BOM purchasing needs.

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  • In-stock inventory checking
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  • BOM sourcing and bulk order support
Teilenr.:
SIB914DK-T1-GE3
Hersteller:
Vishay Siliconix
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK8X8
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SIB914DK-T1-GE3 Spezifikationen

  • Spezifikationen
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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Vishay Siliconix
Serie:
TrenchFET®
Verpackung/Gehäuse:
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Obsolete
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion:
-
Drain-Source-Spannung (Vdss):
8V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
1.5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
113mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id:
800mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
2.6nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
125pF @ 4V
Leistung – Max:
3.1W
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Teilenr. SIB914DK-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Verpackung/Gehäuse PowerPAK® SC-75-6L Dual
Verpackung Tape & Reel (TR)
Produktstatus Obsolete
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 8V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 1.5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 113mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 2.6nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 125pF @ 4V
Leistung – Max 3.1W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse -
Qualifizierung -
Montageart Surface Mount
Lieferant Gerätepaket PowerPAK® SC-75-6L Dual

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