Vishay Siliconix SIA911DJ-T1-E3

SIA911DJ-T1-E3 Supplier & Distributor

SIA911DJ-T1-E3 is an electronic component manufactured by Vishay Siliconix. We are a professional electronic components supplier providing original parts with large stock available in Shenzhen Huaqiangbei.

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Teilenr.:
SIA911DJ-T1-E3
Hersteller:
Vishay Siliconix
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
Gehäuse:
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
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SIA911DJ-T1-E3 Spezifikationen

  • Spezifikationen
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Attribute
Eigenschaftswert
Hersteller
Vishay Siliconix
Serie:
TrenchFET®
Verpackung/Gehäuse:
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Verpackung:
Tape & Reel (TR)
Produktstatus:
Obsolete
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration:
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion:
-
Drain-Source-Spannung (Vdss):
20V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C:
4.5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs:
94mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id:
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs:
12.8nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
355pF @ 10V
Leistung – Max:
6.5W
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse:
-
Qualifizierung:
-
Montageart:
Surface Mount
Lieferant Gerätepaket:
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Kategorie:
FET-, MOSFET-Arrays
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Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Serie TrenchFET® TrenchFET®
Verpackung/Gehäuse PowerPAK® SC-70-6 Dual PowerPAK® SC-70-6 Dual
Verpackung Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Produktstatus Obsolete Obsolete
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25 °C 4.5A 4.5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 94mOhm @ 2.8A, 4.5V 94mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 12.8nC @ 8V 12.8nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 355pF @ 10V 355pF @ 10V
Leistung – Max 6.5W 6.5W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Klasse - -
Qualifizierung - -
Montageart Surface Mount Surface Mount
Lieferant Gerätepaket PowerPAK® SC-70-6 Dual PowerPAK® SC-70-6 Dual

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